fa طراحی و شبیه‌سازی یک سوئیچ خازنیِ موازیِ RF MEMS با ولتاژ تحریک کم، تلفات پایین و ایزولاسیون بالا الکترونیک Electronic پژوهشي Research بطورکلی سوئیچ‌<span dir="LTR">&shy;</span>های <span dir="LTR">RF MEMS</span> از نظر نوع اتصال شامل دو دسته سوئیچ‌های‌ خازنی و فلز-به-فلز می‌شوند. سوئیچ‌های خازنی <span dir="LTR">RF MEMS</span> بدلیل توانایی انتقال سیگنال با فرکانس بیشتر و توان بیشتر، سوئیچ‌های بهتری نسبت به سوئیچ‌های فلز-به-فلز محسوب می‌شوند. این مقاله یک سوئیچ <span dir="LTR">RF MEMS</span> خازنیِ موازیِ معلق را با ولتاژ تحریک پایین، نسبت خازنی بالا، زمان سوئیچینگ خوب و ایزولاسیون بالا ارائه می‌دهد. در این سوئیچ از پلِ آلومنیومی بدلیل داشتن مدول یانگ بالا و چگالی پایین استفاده شده است که به کاهش زمان سوئیچینگ کمک می‌کند. همچنین آلومنیوم رسانایی الکتریکی خوبی دارد که منجر به افزایش ایزولاسیون می‌شود. سوئیچ ارائه شده بر روی یک خط <span dir="LTR">CPW</span> با امپدانس 50 اُهم طراحی شده است و از <span dir="LTR">ZrO₂ </span>&nbsp;&nbsp;به عنوان لایه دی‌الکتریک استفاده شده است. روی سطح پل، 24 حفره قرار داده شده است که منجر به کاهش ضریب دَمپینگ و افزایش سرعت سوئیچینگ می‌شود. ولتاژ تحریک برای این سوئیچ برابر 5.7 ولت است و نسبت خازنی 231 می‌باشد. تجزیه و تحلیل فرکانس رادیویی با استفاده از نرم‌افزار <span dir="LTR">HFSS</span> انجام شده است. نتایج بدست آمده، ایزولاسیون 27- دسی‌بل، تلفات ورودی0.2- دسی‌بل و تلفات بازگشتی 22- دسی‌بل در فرکانس 17 گیگاهرتز را نشان می‌دهد. همچنین زمان سوئیچینگ 32 میکروثانیه بدست آمده است.<span dir="LTR"></span> According to contact type, RF MEMS switches are generally classified into two categories: Capacitive switches and Metal-to-Metal ones. The capacitive switches are capable to tolerate a higher frequency range and more power than M-to-M switches. This paper presents a cantilever shunt capacitive RF MEMS switch with characteristics such as low trigger voltage, high capacitive ratio, short switching time and high isolation. In this switch, aluminum bridge is used because of its high Young&rsquo;s modulus and low density which help reduction of switching time<span dir="RTL">.</span> Also aluminum has a good electrical conductivity which increases isolation. The proposed switch is designed on a Coplanar Waveguide line (CPW) with impedance of 50Ω. Also, &nbsp;is used as dielectric layer. 24 holes have been placed on the bridge surface to reduce the squeeze film damping and to increase the switching speed. Actuation voltage is 5.2v and capacitive ratio (CR) is 231. RF analysis is done in HFSS Software. The results show the isolation level as -27dB, insertion loss as -0.2dB and return loss as -22dB at 17GHz. Also, the switching time is 32us. سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی, سوئیچ RF MEMS, ولتاژ تحریک کم, ایزولاسیون بالا, تلفات پایین, نسبت خازنی بالا, زمان سوئیچینگ خوب Micro electromechanical systems, RF MEMS switch, low actuation voltage, high isolation, low loss, high capacitive ratio, good switching time 29 35 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1077-1&slc_lang=fa&sid=1 Hamid Reza Ansari حمیدرضا انصاری hamidreza.ansari3731@gmail.com 10031947532846009227 10031947532846009227 No Imamreza International University دانشکده مهندسی برق، دانشگاه بین‌المللی امام‌رضا (ع)، مشهد Saeed Khosroabadi سعید خسروآبادی Khosroabadi@imamreza.ac.ir 10031947532846009228 10031947532846009228 Yes Imamreza International University دانشکده مهندسی برق، دانشگاه بین‌المللی امام‌رضا (ع)، مشهد Yasser Mafinejad یاسر مافی‌نژاد Yasermafi@gmail.com 10031947532846009229 10031947532846009229 No Sadjad University of Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سجاد، مشهد