fa طراحی یک تقویت‌کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div dir="ltr"><strong><span dir="RTL">DOR:&nbsp;</span></strong><span style="color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);">98.1000/1735-7152.1398.16.37.0.2.1591.32</span><br> &nbsp;</div> <br> <strong><span dir="RTL">در این مقاله یک تقویت‌کننده توان باند </span>X<span dir="RTL"> مبتنی بر فنّاوری</span> <span dir="RTL">مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو برای زیرسامانه‌های مخابراتی ماهواره‌های سنجشی طراحی، شبیه‌سازی و نهایتاً جانمایی شده است. جهت تحقق طرح، از پروسه</span> <span dir="RTL">ترانزیستورهای گالیم نیترید با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری حداقل طول گیت 500 نانومتر استفاده‌ شده است. ولتاژ تغذیه درین در این فناوری 40 ولت و ولتاژ تغذیه گیت 2-</span> <span dir="RTL">ولت می‌باشد. با توجه به اهمیت بهره‌وری در زیرسامانه‌های مخابرات فضایی، برای معماری مداری تقویت‌کننده پیشنهادی، از دوطبقه در کلاس </span>E<span dir="RTL"> استفاده ‌شده است. بهره توان تقویت‌کننده حدود </span>dB <span dir="RTL">25 و حداکثر توان خروجی آن </span>dBm<span dir="RTL"> 49.3 در فرکانس 10 گیگاهرتز با در نظر گرفتن پهنای باند 2 مگاهرتز و بهره‌وری 49% حاصل شده است</span>.<span dir="RTL"> برای کاهش اثر حافظه یک فیلتر میان‌گذر در خروجی تقویت کننده طراحی ‌شده است. مساحت نهایی اشغالی در سطح تراشه برای جانمایی به ابعاد 4.3&times;8.2 میلی‌متر حدود </span>mm²<span dir="RTL">35 به‌دست‌آمده است، که فضای عمده جانمایی متعلق به فیلترمحدودکننده طیف توان خروجی می&shy;باشد. مقدار </span>AM/PM<span dir="RTL"> و </span>AM/AM<span dir="RTL"> در بدترین شرایط به ترتیب حدود </span>deg/dB<span dir="RTL">3.8- و</span> dB/dB<span dir="RTL">1 حاصل شده است. تقویت‌کننده دارای پایداری نامشروط در محدوده فرکانسی مطلوب بوده و مقدار تداخل تخریبی هارمونیک سوم نسبت به هارمونیک اول حدود </span>dBc<span dir="RTL"> 21- به‌دست‌آمده است.</span></strong> In this paper, we have presented an X band high power amplifier based on MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) technology for satellite remote sensing systems. We have used GaN HEMT process with 500 nm gate length technology with V_D= 40 V and V_G= -2 V in class E structure. The proposed two-stage power amplifier provides 25 dB power gain with maximum output power of 49.3 dBm at 10 GHz. Bandwidth of proposed high power amplifier is 2 MHz and we have achieved 49% Power Added Efficiency (PAE). We have designed a band pass filter for decreasing of memory effects in output. The active on chip area of layout obtained 35 mm2 (8.2 mm &times; 4.3 mm). We have obtained AM/PM and AM/AM, -3.8deg and 1 dB respectively in the worst case. The proposed power amplifier is unconditionally stable at the satisfied frequency range.<br> &nbsp; باند X, MMIC,GaN HEMT, تقویت‌کننده توان, فرکانس رادیویی X band, MMIC, GaN HEMT, power amplifier 37 45 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-909-1&slc_lang=fa&sid=1 peiman aliparast پیمان علیپرست aliparast@ari.ac.ir 10031947532846004604 10031947532846004604 Yes Aerospace Research Institute, Ministry of Science, Research and Technology, Tehran, Iran پژوهشگاه هوافضا (وزارت علوم، تحقیقات و فنّاوری)، تهران، ایران ahad farhadi احد فرهادی ahadfarhady@gmail.com 10031947532846004605 10031947532846004605 No Space Thrusters Research Institute, Iranian Space Research Center, Tabriz, Iran گروه مهندسی برق، واحد تبریز ،دانشگاه آزاد اسلامی ،تبریز ،ایران