fa تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <p dir="RTL">در ماسفت کرنشی دومحوره نوع <span dir="LTR">p</span> سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می&shy;کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه می&shy;شود و سپس بوسیله&shy;ی شبیه ساز، نتایج بررسی می&shy;گردد. نتایج شبیه سازی نشان می&shy;دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از ^4-10 برابر کاهش می&shy;یابد. این روش در طول کانال&shy;های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می&shy;گردد.</p> <p style="text-align: justify;">In biaxially strained p-MOSFET with Si channel, formation of a parasitic parallel channel due to misalignment of energy bands degrades device performance by increasing off-state current. In this paper a new approach has been introduced to eliminate this parasitic channel by increasing the dopant concentration of virtual substrate up to . Using simulation the impact of this method on the parasitic channel has been investigated. According to simulation results, increasing virtual substrate&#39;s doping not only provides a high mobility channel but also significantly reduces off-state current more than four orders of magnitude. This method is effective in various channel length and also increases output resistance of the MOSFET.</p> نانو ماسفت کرنشی نوع p, جریان حالت خاموش, چاه کوانتومی, کانال پارازیتی, بستر مجازی strained Si nano p-MOSFET, off-state current, quantum well, parasitic channel, virtual substrate. 41 50 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-18&slc_lang=fa&sid=1 Mohammad Mahdi Khatami محمدمهدی خاتمی mmkhatami@aut.ac.ir 10031947532846001377 10031947532846001377 Yes دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تربیت مدرس- تهران- ایران Majid Shalchian مجید شالچیان shalchian@aut.ac.ir 10031947532846001378 10031947532846001378 No دانشکده مهندسی برق- دانشگاه صنعتی امیرکبیر - تهران- ایران Mohammadreza Kolahdouz محمدرضا کلاهدوز kolahdouz@ut.ac.ir 10031947532846001379 10031947532846001379 No دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه تهران - تهران- ایران