fa یک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های CMOS الکترونیک Electronic پژوهشي Research <p dir="RTL" style="text-align: justify;">کلید&shy;های <span dir="LTR">CMOS</span> یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می&shy;روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه&shy;های غیر ایده&shy;آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آستانه می&shy;تواند برای مدارهای پرتونگاری (توموگرافی) خازنی استفاده شود. ساختار ارائه شده علاوه بر کاهش جریان نشتی معکوس، باعث کاهش خازن&shy;های پارازیتی کلید، کاهش جریان نشتی ناشی از پدیده <span dir="LTR">Punch-Trough</span> و رسیدن به مقاومت حالت روشن پایین تر نیز می&shy;شود. نتایج شبیه&shy;سازی با استفاده از نرم افزار<span dir="LTR">HSPICE</span> بدست آمده و برای آن از یک نمونه مدل تجاری با طول کانال <span dir="LTR">0.18&mu;m</span> استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که جریان نشتی معکوس نسبت به کلید <span dir="LTR">NMOS</span>، بیش از چهار برابر و نسبت به کلید بوت استرپ بیش از سه&nbsp; برابر کمتر شده است. علاوه بر آن کلید پیشنهادی رفتار دمائی پایدارتر و تغییرات کمتری در گوشه های پروسه دارد.</p> <p style="text-align: justify;">CMOS switches are one of the main components of today&#39;s analog circuits. Among the many types of non-idealities that can affect the performance of the switch, its leakage current is of utmost importance. In order to reduce the leakage current or equally increase the OFF resistance of any switch, a novel technique is presented in this paper. The proposed technique employs the body effect to increase the threshold voltage and it can be used at high-frequency or low-frequency switching circuits. In addition to the leakage current reduction, the presented technique also decreases the parasitic capacitance of the switch and the leakage current caused by the punch-through effect. The proposed switch is simulated by HSPICE using a commercial 0.18&mu;m CMOS technology. Simulation results show more than 400% reduction in the leakage current compared to the NMOS switch and more than 300% reduction compared to the boot-strapped switch.<span dir="RTL"> </span></p> <p></p> جریان نشتی معکوس, کلید ماسفت, مقاومت حالت خاموش, اثر بدنه و ولتاژ آستانه. Reverse leakage current, MOSFET switch, off-state resistance, threshold voltage. 33 40 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-17&slc_lang=fa&sid=1 Naser Hasanzade ناصر حسن زاده 10031947532846001375 10031947532846001375 Yes دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر- دانشگاه سمنان- سمنان- ایران Mohammad Danaie محمد دانائی 10031947532846001376 10031947532846001376 No دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر- دانشگاه سمنان- سمنان- ایران