fa تقویت‌کننده کم‌نویز فرا پهن‌ باند جدید با قابلیت کنترل بهره به‌صورت پیوسته الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div dir="ltr">DOR:&nbsp;<span style="color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);">98.1000/1735-7152.1398.16.47.0.2.1578.1607</span></div> <br> در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز (<span dir="LTR">LNA</span>) جدید با بهره متغیر برای کاربردهای فراپهن&rlm; باند ارائه‌ می‌شود. در طبقه ورودی سورس&rlm; مشترک، خنثی‌سازی جزئی نویز و تطبیق امپدانس ورودی با اعمال فیدبک فعال موازی-موازی انجام می‌شود. استفاده از طبقه خروجی کسکود با بهره افزایش&rlm; یافته، باعث جابه‌جایی قطب تشدید بالا‌ به فرکانس &rlm;های بالاتر و درنتیجه دستیابی به بهره مسطح بالا می‌شود. مدار استفاده‌شده برای کنترل بهره در خروجی، تنها باعث تغییر پیوسته بهره توان مستقیم (<span dir="LTR">S₂₁</span>) شده و تغییری در تلف بازگشتی ورودی (<span dir="LTR">S₁₁</span>) و عدد نویز در بهره &rlm;های مختلف ایجاد نمی&rlm; کند. تقویت &rlm;کننده کم&rlm;نویز پیشنهادشده براساس فنّاوری <span dir="LTR">&micro;m</span> 0.18&nbsp;<span dir="LTR">CMOS</span> <span dir="LTR">RF-TSMC</span> طراحی و با استفاده از نرم&rlm; افزار <span dir="LTR">ADS</span> شبیه &rlm;سازی شده &shy;است. نتایج شبیه‌سازی مداری‌ نشان می‌دهد که <span dir="LTR">LNA</span> پیشنهاد&rlm;شده دارای تلف برگشتی ورودی (<span dir="LTR">S₁₁</span>) کمتر از <span dir="LTR">dB</span> 10- و بهره توان (<span dir="LTR">S₂₁</span>) <span dir="LTR">dB</span> 14 و عدد نویز کمتر از <span dir="LTR">dB</span> 3.6 در بازه فرکانسی وسیع <span dir="LTR">GHz</span> 3.5 تا 13.5 است. همچنین مصرف توان <span dir="LTR">LNA</span> پیشنهاد&rlm;شده از منبع تغذیه پایین <span dir="LTR">V</span> 0.9 در حدود <span dir="LTR">mW</span> 12 و بازه تغییرات بهره توان مستقیم آن نیز از <span dir="LTR">dB</span> 7 تا <span dir="LTR">dB</span> 14 است. This paper presents a new variable gain low noise amplifier (VG-LNA) for ultra-wideband (UWB) applications. The proposed VG-LNA uses a common-source (CS) with a shunt-shunt active feedback as an input stage to realize input matching and partial noise cancelling. An output stage consists of a gain-boosted CS cascode and a gain control circuit that moves the high resonant frequency to higher frequencies and provides flatness gain. The direct power gain (S₂₁) is continuously controlled without significant degradation in the input return loss (S₁₁) and noise figure. The proposed VG-LNA is designed and simulated using RF-TSMC 0.18 &mu;m CMOS technology by Advanced Design System (ADS). Simulation results show a maximum flat power gain (S₂₁) of 14 dB with a noise figure (NF) lower than 3.6 dB and an input impedance matching (S₁₁) less than &ndash;10 dB over the wide bandwidth of 3.5 to 13.5 GHz. Its power consumption is 12 mW with low power supply of 0.9 V. In addition, the power gain ranges from 7 to 14 dB at the center frequency of 8.5 GHz. تقویت‌ کننده کم ‌نویز, بهره متغیر, فیدبک فعال, فرا پهن باند Low noise amplifier, Variable gain, Active feedback, Ultra-wideband 47 55 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-526-1&slc_lang=fa&sid=1 Abolfazl Bijari ابوالفضل بیجاری a.bijari@birjand.ac.ir 10031947532846004606 10031947532846004606 Yes University of Birjand دانشگاه بیرجند Mahdi Sheikhi مهدی شیخی mahdi.sheikhi@birjand.ac.ir 10031947532846004607 10031947532846004607 No University of Birjand دانشگاه بیرجند