fa مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <strong><span dir="RTL">تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری </span>PIN<span dir="RTL">، پارامترهای مطلوب این</span> <span dir="RTL">نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه&shy;ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم&shy;آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم&shy;آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری </span>PIN<span dir="RTL">، پارامترهای مطلوب این</span> <span dir="RTL">نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه&shy;ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم&shy;آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم&shy;آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.</span></strong> The high-energy UV ray radiation on PIN Silicon photodiodes reduces the optimal parameters of these photodiodes. In this paper, by representing a model, we compare the effect of UV dose on the bright current in these two types of photodiodes and confirm the analytic relationships in order to simulate a model with the help of the Silvaco- Atlas software. In this model, Silicon photodiodes and Gallium Arsenide were investigated under the influence of 300nm UV source radiation in several reverse bias, and we arrived at a logical connection between the analytical and simulation results, and finally, in order to compare these two types of photodiodes, we have shown that the current of darkness in the photodiode has increased significantly with UV dose radiation. Also, the bright current in the Gallium Arsenide photodiodes is not much more than its Silicon model. This phenomenon indicates a higher sensitivity to Gallium Arsenide photodiodes. فوتودیود, جریان‌تاریکی, اشعه فرابنفش, سیلیکون, گالیوم‌آرسناید dark current, UV rays, Gallium arsenide, Photo diode, Silicon 45 50 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-529-1&slc_lang=fa&sid=1 mohamad razagi محمد رزاقی mrazaghi@gmail.com 10031947532846009232 10031947532846009232 Yes Department of Electrical Engineering, University of Kurdistan, Sanandaj, Kurdistan, Iran دانشکده مهندسی برق، دانشگاه کردستان، سنندج Hanieh Karam هانیه کرم Haniyeh.karam@gmail.com 10031947532846009233 10031947532846009233 No Department of Electrical Engineering, University of Kurdistan, Sanandaj, Kurdistan, Iran دانشکده مهندسی برق، دانشگاه کردستان، سنندج