fa طراحی سلول خورشیدی دو پیوندی InGaP/GaAs بدون لایه ARC با بازده بالا الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div dir="ltr"><strong>DOR:&nbsp;</strong><span style="color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);">98.1000/1735-7152.1398.16.87.0.2.1591.1575</span><br> &nbsp;</div> <div><br> <strong>در این کار ما با استفاده از نرم‌افزار </strong><strong><span dir="LTR">Atlas Tcad</span></strong> <strong><span dir="LTR">Silvaco</span></strong><strong> اثر اضافه کردن یک‌لایه اضافه همنام </strong><strong><span dir="LTR">BSF</span></strong><strong> را بر عملکرد سلول خورشیدی دو پیوندی </strong><strong><span dir="LTR">InGap / GaAs</span></strong> <strong>با پیوند تونلی ناهمگون </strong><strong><span dir="LTR">Al_0.7Ga_0.3As</span></strong><strong> - </strong><strong><span dir="LTR">In₀.₄₉Ga₀.₅₁P</span></strong><strong> بررسی نمودیم. این تحلیل‌ها نشان می‌دهد اضافه کردن یک‌لایه </strong><strong><span dir="LTR">BSF</span></strong><strong> به سلول پایین و افزایش ضخامت لایه</strong> <strong><span dir="LTR">BSF</span></strong><strong> سلول بالا موجب کاهش بازترکیب و افزایش جریان اتصال کوتاه و درنتیجه افزایش راندمان می‌شود. ضخامت و غلظت بهینه لایه </strong><strong><span dir="LTR">BSF</span></strong><strong> اضافه‌شده بیشترین بازده سلول را به % 83/56 می‌رساند. در مرحله بعد برای به دست آوردن ولتاژ مدارباز بالاتر نیمه‌هادی‌های با پهنای باند بالا از گروه </strong><strong>ш-ѵ</strong><strong> را موردبررسی قراردادیم و نیمه‌هادی </strong><strong><span dir="LTR">In_0.5(Al _0.7Ga_0.3)_0.5P</span></strong><strong> را برای ساختن پیوند ناهمگون با </strong><strong><span dir="LTR">GaAs</span></strong><strong> در سلول پایین یک سلول خورشیدی دو پیوندی </strong><strong><span dir="LTR">InGap / GaAs</span></strong><strong> انتخاب نمودیم. نتایج به‌دست‌آمده از بررسی میزان فوتون های تولید شده و واکنش طیفی نشان می‌دهد پیوند ناهمگون </strong><strong><span dir="LTR">InAlGap </span></strong><strong>&ndash;</strong><strong><span dir="LTR">GaAs</span></strong><strong> باعث انتقال بیشتر الکترون‌ها و حفره‌های تولیدشده در سلول بالا و بازترکیب کمتر در سلول پایین می‌شود. برای این ساختار تحت تابش (</strong><strong><span dir="LTR">1sun</span></strong><strong>) </strong><strong><span dir="LTR">AM1.5</span></strong><strong> مقادیر بهینه</strong> &nbsp;<strong><span dir="LTR">V</span></strong><strong> 44/2</strong><strong><span dir="LTR">V_OC =</span></strong><strong>، </strong><strong><span dir="LTR">mA/cm²</span></strong><strong> 5/28</strong><strong><span dir="LTR">Jsc =</span></strong><strong>،</strong>&nbsp; <strong>% 25/87</strong><strong><span dir="LTR">FF= &nbsp;</span></strong><strong>و % 89/60</strong><strong><span dir="LTR">&eta;</span></strong><strong><span dir="LTR"> = </span></strong><strong>&nbsp;به‌دست‌آمده و درنهایت سلول ارائه‌شده با مدل‌های دیگر مقایسه شد.</strong><br> &nbsp;</div> <div>In this work, we used the Atlas Tcad Silvaco software to investigate the effect of adding an additional BSF layer on the performance of InGap / GaAs dual junction solar cells with a hetero tunnel Al_0.7Ga_0.3As-In_0.49Ga_0.51P junction. These analyzes indicate that, the addition of a BSF layer to the bottom cell the increase in the thickness of the BSF top cell would reduce the recombination and increase the short circuit current and the efficiency. The thickness and optimal concentration of the BSF layer adds the highest cell efficiency to 56.53%. In the next step, to obtain a higher open circuit voltage, we examined the high band gap semiconductors from the <span dir="RTL">шѵ</span> group and we selected the In 0.5 (Al 0.7Ga 0.3) 0.5P semiconductor to form a hetro junction with GaAs in the bottom cell of a InGap / GaAs dual Junction solar cell. The results show photogeneration and spectral response, the InAlGap-GaAs hetero junction, transmits most of the electrons and holes produced in the top cell and low recombination in the bottom cell. For this structure, under (1sun) AM1.5, the optimal values of Voc= 2.44 V, J_SC = 28.5 mA/cm², FF =87.25 % and &eta;= 60.89 % and finally the cell provided with other models compared.<br> &nbsp;</div> اتصال تونلی, سلول خورشیدی دو پیوندی , BSF Back surface field (BSF), Dual Junction solar Cell, Tunnel Junction 87 92 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-386-1&slc_lang=fa&sid=1 Sobhan Abasian سبحان عباسیان sobhan_aba@yahoo.com 10031947532846004615 10031947532846004615 No 2Department of Electrical Engineering, Central Tehran Branch, Islamic Azad University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی Reza Sabbaghi-Nadooshan رضا صباغی ندوشن r_sabbaghi@iauctb.ac.ir 10031947532846004616 10031947532846004616 Yes 2Department of Electrical Engineering, Central Tehran Branch, Islamic Azad University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی