Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers
نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران
Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers
Engineering & Technology
http://jiaeee.com
1
admin
2676-5810
2676-6086
8
10.61882/jiaeee
14
8888
13
fa
jalali
1398
4
1
gregorian
2019
7
1
16
2
online
1
fulltext
fa
ارائه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین
A new circuit model for the Parameters in equations of low power Hodgkin-Huxley neuron cell
الکترونیک
Electronic
پژوهشي
Research
<div dir="ltr"><span dir="RTL">DOR: </span><span style="color: rgb(255, 255, 255); font-family: yekan; font-size: 16px; text-align: center; background-color: rgb(75, 72, 70);">98.1000/1735-7152.1398.16.113.0.2.1575.1606</span></div>
<br>
<span dir="RTL">در این مقاله، توابع </span><em><span dir="RTL">α</span></em><span dir="RTL"> و </span><em><span dir="RTL">β</span></em><span dir="RTL"> و متغیرهای گیت مربوط به معادلات متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی بررسی می</span>‎<span dir="RTL">شود. متغیرهای گیت سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی، نرخ باز و بسته شدن یون های کلسیم و پتاسیم را نشان می‎دهد</span>. توابع متغیر <em><span dir="RTL">α</span></em><span dir="RTL"> و </span><em><span dir="RTL">β</span></em><span dir="RTL">، </span><span dir="RTL">توابعی نمایی بر حسب پتانسیل پوسته </span><em>u</em><span dir="RTL"> می</span>‎<span dir="RTL">باشند که توسط هاجکینگ و هاکسلی برای تنظیم و تطبیق معادلات مربوط به سلول عصبی به طور تجربی بدست آمده</span>‎<span dir="RTL">اند. در این مقاله، این معادلات توسط ترانزیستور </span>FGMOS<span dir="RTL"> طراحی شده</span>‎<span dir="RTL">اند که هزینه، پیچیدگی، ولتاژ و توان کمتر را به دنبال دارد. این ترانزیستورها در ناحیه</span>‎<span dir="RTL">ی زیرآستانه دارای ولتاژ و توان بسیار پایین هستند، از این رو توان مصرفی مدارهای پیشنهادی بسیار پایین می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزار</span> Hspice <span dir="RTL">با تکنولوژی</span> 0.18 <span dir="RTL">میکرومتر انجام شده است و</span> <span dir="RTL">مساحت اشغال شده</span>‎<span dir="RTL">ی سیلیکون برای مدار متغیر های گیت طراحی شده برابر </span> 115μm×60μm <span dir="RTL">میباشد</span>.
<p>In this paper, <em>α</em> and <em>β</em> parameters and gating variables equations of Hodgkin-Huxley neuron cell have been studied. Gating variables show opening and closing rate of ion flow of calcium and potassium in neuron cell. Variable functions α and β, are exponential functions in terms of <em>u</em> potential that have been obtained by Hodgkin and Huxley experimentally to adjust the equations of neural cells. In this study, using FGMOS transistors to model these equations has been reduced cost, complexity, voltage and power. The transistors work in the sub threshold region, hence the proposed circuit consumes less power. Hspice simulation software with 0.18 μ technology has been carried out and silicon area for the designed circuit of gating variables is 115μm×60μm.<br>
</p>
سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی , مدل مداری, معادلات متغیر های گیت, ترانزیستور FGMOS, توابع α و β
Hodgkin-Huxley neuron, circuit modeling, gate variable equation, FGMOS Transistors, α and β functions.
113
119
http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-284-1&slc_lang=fa&sid=1
Ebrahim
Farshidi
ابراهیم
فرشیدی
farshidi@scu.ac.ir
10031947532846004621
10031947532846004621
Yes
Shahid Chamran university of Ahvaz
دانشگاه شهید چمران اهواز
Ava
Salmanpour
آوا
سلمان پور
a-salmanpour@phdstu.ac.ir
10031947532846004622
10031947532846004622
No
Shahid Chamran university of Ahvaz
دانشگاه شهید چمران اهواز
Karim
Ansari Asl
کریم
انصاری اصل
karim.ansari@scu.ac.ir
10031947532846004623
10031947532846004623
No
Shahid Chamran university of Ahvaz
دانشگاه شهید چمران اهواز