fa طراحی و پیاده‌سازی یک اینورتر 17 سطحی کلیدزنی خازنی جدید با تعداد ادوات کاهش یافته و جریان شارژ محدود قدرت Power پژوهشي Research در این مقاله یک اینورتر چندسطحی کلیدزنی خازنی جدید با بهره ولتاژ 4 پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی از یک منبع DC، 11 سوئیچ و یک دیود برای رسیدن به سطوح ولتاژ خروجی 17 سطحی استفاده می‌کند. ساختار پیشنهادی شامل سه خازن با قابلیت تعادل خودکار ولتاژ می‌باشد. خازن‌ها با استفاده از روش اتصال سری/موازی با منبع ورودی به تعادل خودکار ولتاژ دست می‌یابند. برای کنترل پالس‌های کلیدزنی سوئیچ‌ها از استراتژی مدولاسیون پهنای پالس شیفت سطح (PWM-LS) استفاده شده است. یک ارزیابی مقایسه‌ای بین ساختار پیشنهادی با ساختارهای ارائه شده در مقالات اخیر از حیث پارامترهای مختلف مانند بهره ولتاژ، تعداد منابع dc، تعداد ادوات نیمه‌رسانا، حداکثر ولتاژ مسدودکنندگی (MBV) و ولتاژ مسدودکنندگی کل (TSV) انجام شده است. با توجه به این مقایسه، تعداد کم ادوات نیمه‌رسانا برای تولید خروجی 17 سطحی با بهره ولتاژ مناسب و به ویژه مقرون به صرفه بودن ساختار مزایای عمده ساختار پیشنهادی می‌باشند. علاوه بر این، از یک روش شارژ نرم برای محدودسازی جریان هجومی خازن‌ها استفاده شده است. در ضمن تلفات توان ساختار پیشنهادی بررسی شده است که نشان دهنده راندمان مناسب آن می‌باشد. در نهایت، برای تحلیل و تایید عملکرد ساختار پیشنهادی، نمونه آزمایشگاهی پیاده‌سازی شده و در شرایط مختلف مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج حاصل بیانگر عملکرد مطلوب ساختار پیشنهادی در شرایط عملکردی متفاوت می‌باشد. In this paper, a new switched-capacitor multilevel inverter with a fourfold voltage gain is proposed. The proposed topology utilizes a DC source, 11 switches, and a diode to achieve 17-level output voltage levels. This topology consists of three capacitors with the capability for self-balancing voltages. The capacitors achieve automatic voltage balancing through a series/parallel connection method with the input DC voltage source. To control the switching pulses of the switches, the Level Shifted Pulse Width Modulation (PWM-LS) strategy has been employed. A comparative evaluation has been performed between the proposed topology and recent presented structures, considering various parameters such as voltage gain, number of DC sources, number of semiconductor devices, Maximum Blocking Voltage (MBV), and Total Standing Voltage (TSV). Considering this comparison, the low number of semiconductor devices for generating a 17-level output with suitable voltage gain, and especially its cost-effectiveness superiority, are the main advantages of the proposed topology. In addition, a soft charging method has been employed to limit the inrush current of capacitors. Moreover, the power losses of the proposed topology have been investigated, indicating its acceptable efficiency. Finally, for the analysis and validation of the proposed structure's performance, an experimental prototype has been implemented and evaluated under various conditions. The results indicate satisfactory performance of the proposed topology under various operating conditions. اینورتر چندسطحی, کلیدزنی خازنی, تعادل خودکار ولتاژ, جریان هجومی Multilevel inverter, Switched-capacitor, Self-balancing voltage, Inrush current 56 68 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1784-7&slc_lang=fa&sid=1 Majid Hosseinpour مجید حسین‌پور Hoseinpour.majid@uma.ac.ir 100319475328460012843 100319475328460012843 Yes Faculty of Engineering, University of Mohaghegh Ardabili دانشکده فنی مهندسی- دانشگاه محقق اردبیلی Masumeh Derakhshandeh معصومه درخشنده derakhshandemasoume@gmail.com 100319475328460012844 100319475328460012844 No Faculty of Engineering, University of Mohaghegh Ardabili دانشکده فنی مهندسی- دانشگاه محقق اردبیلی Mahdi Shahparasti مهدی شاهپرستی mahdi.shahparasti@univaasa.fi 100319475328460012845 100319475328460012845 No School of Technology and Innovations, University of Vaasa, 65200 Vaasa, Finland دانشکده فناوری و نوآوری - دانشگاه واسا- واسا- فنلاند