<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</title>
<title_fa>نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران</title_fa>
<short_title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://jiaeee.com</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2676-5810</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2676-6086</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/jiaeee</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1404</year>
	<month>1</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2025</year>
	<month>4</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>22</volume>
<number>1</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>تحلیل همزمان پیری تصادفی ترانزیستورها و نوسان فرآیند در سیستمهای دیجیتال با توسعه مدل یادگیری ماشین برای سلولهای استاندارد</title_fa>
	<title>Simultaneous analysis of the stochastic transistor aging and process variation in digital systems by developing machine learning-based models for standard cells</title>
	<subject_fa>الکترونیک</subject_fa>
	<subject>Electronic</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p&gt;&lt;span style=&quot;font-size:14px;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;direction:rtl&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:107%&quot;&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;line-height:107%&quot;&gt;امروزه قابلیت اعتماد یکی از چالش&#8204;های اساسی در طراحی مدارات نانومتری است. پیری ترانزیستورها و نوسان فرایند دو عامل مهم مؤثر بر قابلیت اعتماد هستند. باگذشت زمان ترانزیستورها پیر می&#8204;شوند به این معنی که مشخصات ترانزیستورها و به طور ویژه ولتاژ آستانه آنها تغییر می&#8204;کند که سبب افزایش تأخیر می&#8204;گردد. این افزایش تأخیر در نهایت باعث تخطی از محدودیت&#8204;های زمانی و نادرست بودن عملکرد مدار می&#8204;گردد. پدیده&#8204;های گوناگونی سبب پیری ترانزیستورها می&#8204;شوند که ناپایداری حرارتی بایاس (BTI)&amp;nbsp;یکی از مهم&#8204;ترین آنها است. این پدیده در تکنولوژی&#8204;های ساخت پیشرفته امروزی ماهیتی تصادفی از خود نشان می&#8204;دهد و برای توصیف آن مدل&#8204;های اتمی ارائه شده است. نوسان فرایند به تغییرات تصادفی مشخصات ترانزیستور و مدار با مقادیر مورد انتظار گفته می&amp;shy;شود که به سبب غیر ایده&amp;shy;آل بودن فرایند ساخت و غالبا تحت تاثیر فرایند لیتوگرافی ایجاد می&amp;shy;شوند. تحلیل هم&#8204;زمان این پدیده&#8204;ها به بهبود طراحی کمک زیادی می&#8204;کند. امروزه که نقطه شروع طراحی سیستم&#8204;های دیجیتال به سطوح بالاتر انتزاع رفته است، به&#8204;منظور جستجوی مؤثر فضای طراحی نیازمند مدل&#8204;های سریع و دقیق برای ارزیابی قابلیت اعتماد مدارها هستیم. در این مقاله با توسعه مدل&#8204;های مبتنی بر یادگیری ماشین برای تحلیل هم&#8204;زمان پیری و نوسان فرایند سلول&#8204;های استاندارد، یک روش تحلیل بر پایه مونت&#8204;کارلو پیشنهاد شده است. نتایج آزمایش نشان&#8204;دهنده بهبود زمان تحلیل با میانگین 49 درصد و 7/88 درصد نسبت به دو روش پیشرفته معرفی شده در مقالات است. این بهبود هم&#8204;زمان با حفظ دقت تحلیل به&#8204;دست&#8204;آمده است. البته برای رسیدن به این بهبود زمان زیادی صرف آموزش مدل&#8204;ها می&#8204;شود که آن&#8204;هم یک&#8204;بار و به&#8204;صورت آفلاین انجام می&#8204;شود و تأثیری در زمان اجرا ندارد.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;

&lt;div&gt;&amp;nbsp;
&lt;hr align=&quot;left&quot; size=&quot;1&quot; width=&quot;33%&quot; &gt;
&lt;div id=&quot;edn1&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:10pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:12pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:Calibri,sans-serif&quot;&gt;&lt;a href=&quot;#_ednref1&quot; name=&quot;_edn1&quot; title=&quot;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;line-height:107%&quot;&gt;&lt;span calibri=&quot;&quot; style=&quot;font-family:&quot;&gt;[i]&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/a&gt; Bias temperature instability&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/div&gt;
&lt;/div&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;span style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&lt;span new=&quot;&quot; roman=&quot;&quot; style=&quot;font-family:&quot; times=&quot;&quot;&gt;Nowadays, reliability is one of the most important challenges in the design of nanometer circuits. Transistor aging and process variation are two important factors affecting reliability. After the circuits start to work, transistors age gradually, which means that the characteristics of transistors and in particular their threshold voltage degrade. As a result, delay increases and eventually causes violation of timing constraints and incorrect operation of the circuit. Various phenomena cause the transistor aging, among them BTI is the most important. This phenomenon reveals has stochastic nature in today&amp;#39;s advanced manufacturing technologies, and atomic models exist to describe it. Process variation due to the non-ideality of the manufacturing process and often under the influence of the lithography process appears as a stochastic difference in the characteristics of the transistors produced with the expected values after manufacturing. The simultaneous analysis of these phenomena is vital to improve the design. Today, the starting point of digital systems design has raised to higher abstraction levels. As a consequent, we need fast and accurate models to evaluate the reliability of circuits in order effective exploration of the design space. In this article, first, machine learning based models are developped for standard cells. Then, a Monte Carlo-based analysis method is proposed for the simultaneous analysis of aging and process variation. The experimental results show an improvement in analysis time with an average of 94% compared to existing methods. This improvement has been achieved while maintaining the accuracy of the analysis. Of course, to achieve this improvement, a lot of time is spent on training the models, which is done once and offline and has no effect on the execution time.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract>
	<keyword_fa>قابلیت اعتماد, پیری تصادفی, نوسان فرآیند, مونت کارلو, NBTI, Aging.</keyword_fa>
	<keyword>Reliability, Stochastic Aging, Process Variation, NBTI, Monte Carlo, Aging.</keyword>
	<start_page>65</start_page>
	<end_page>77</end_page>
	<web_url>http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-2802-1&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Mohammad</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Bazli</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>بذلی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>bazlimohammad@yahoo.com</email>
	<code>100319475328460013029</code>
	<orcid>100319475328460013029</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Bijand Branch - Islamic Azad University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی- واحد بیرجند - دانشگاه آزاد اسلامی</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Siavash</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Es'haghi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سیاوش</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>اسحقی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>s_esshaghi@sbu.ac.ir</email>
	<code>100319475328460013030</code>
	<orcid>100319475328460013030</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Bijand Branch - Islamic Azad University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی- واحد بیرجند - دانشگاه آزاد اسلامی</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mahmood</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Shahi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمود</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>شاهی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>m.shahi.g@gmail.com</email>
	<code>100319475328460013031</code>
	<orcid>100319475328460013031</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Bijand Branch - Islamic Azad University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی- واحد بیرجند - دانشگاه آزاد اسلامی</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Majid</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Naseh</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مجید</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>ناصح</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>naseh@iaubir.ac.ir</email>
	<code>100319475328460013032</code>
	<orcid>100319475328460013032</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Bijand Branch - Islamic Azad University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی- واحد بیرجند - دانشگاه آزاد اسلامی</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
