<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</title>
<title_fa>نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران</title_fa>
<short_title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://jiaeee.com</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2676-5810</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2676-6086</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/jiaeee</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1404</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2025</year>
	<month>5</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>22</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>شبیه سازی نانو ترانزیستور اثر میدان نانونوار گاما گرافاین</title_fa>
	<title>Simulation of gamma graphyne nanoribbon transistor</title>
	<subject_fa>الکترونیک</subject_fa>
	<subject>Electronic</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;در این پژوهش ویژگی&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;های الکترونیکی نانو نوارهای گرافاین گاما مورد بررسی قرار گرفته و یک نانو ترانزیستور بر پایه آن طراحی و شبیه&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;سازی شده است. در محاسبات از روش نظریه تابعی چگالی و تابع گرین غیر تعادلی&amp;nbsp; به کمک بسته محاسباتی &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;b&gt;&lt;span style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;Quantum ATK&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; استفاده شده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;های الکترونی نشان دهنده رفتار شبه فلزی و نیمه رسانایی نانو نوارها براساس شکل لبه آن&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;ها است. ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانو نوار دسته مبلی گاما طراحی شده و منحنی&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;های مشخصه آن بدست آمده است. نتایج نشان می&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;دهد که جریان&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;دهی این ترانزیستور در مقایسه با ترانزیستور گرافنی بسیار بیشتر است. شبیه سازی&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;ها نشان می&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;دهد که جریان در ترانزیستور گرافاین گاما بخوبی با ولتاژ گیت کنترل می&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;‫&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot; lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;شود. &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;span style=&quot;font-size:13pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-weight:bold&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-weight:normal&quot;&gt;In this research, the electronic properties of gamma graphyne nanoribbons have been investigated and a nano-transistor has been designed and simulated based on it. Density functional theory method and non-equilibrium Green&amp;#39;s function have been used in calculations with the help of Quantum ATK calculation package. The results obtained from the band structure and density of states electronic indicate the quasi-metallic behavior and semi-conductivity of nanoribbons based on the shape of their edges. The field effect transistor with a gamma armchair handle nano channel has been designed and its characteristic curves have been obtained. The results show that the current of this transistor is much higher compared to the graphene transistor. The simulations show that the current in the gamma graphene transistor is well controlled by the gate voltage.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract>
	<keyword_fa>+نانو ترانزیستور, ترانزیستور اثر میدانی, نظریه تابعی چگالی, گاما گرافاین, نانو نوار</keyword_fa>
	<keyword>nano transistor, field effect transistor, gamma graphyne, density function theory</keyword>
	<start_page>176</start_page>
	<end_page>180</end_page>
	<web_url>http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-2743-2&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>hamed</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>jafarzadeh</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حامد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>جعفرزاده</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>h.jafarzadeh@qiet.ac.ir</email>
	<code>100319475328460012692</code>
	<orcid>100319475328460012692</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Quchan University of Technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه صنعتی قوچان</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>mohammad hossein</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>gholamyan</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد حسین</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>غلامیان</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>Hossein.gholamyan.14@gmail.com</email>
	<code>100319475328460012693</code>
	<orcid>100319475328460012693</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Department of Electrical Engineering, Bojnourd Branch, Islamic Azad University</affiliation>
	<affiliation_fa>گروه برق- واحد بجنورد- گروه برق</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
