Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers

fa ارائه ساختار مقایسه‌کننده سه‌سطحی چند‌ورودی کامل بر پایه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی Presentation of Multi Inputs Full Ternary Comparator with Carbon Nano Tube Field Effect Transistor الکترونیک Electronic پژوهشي Research رشد فزاینده اندازه داده ها در سیستمهای پردازشی دیجیتال، باعث افزایش تعداد اتصالات بین بلوکهای مختلف سیستمهای پردازشی شده است، یک راهکار این است که با استفاده از طراحی و پیادهسازی سیستمهای پردازشی چند سطحی، اندازه دادههای پردازشی را کاهش داد، از طرفی مساله مهم در پیادهسازی سیستمهای پردازشی چند سطحی، استفاده از ترانزیستورهای است که قابلیت پیادهسازی سیستمهای چند ارزشی را داشته باشند. بخاطر قابلیت ویژه ترانزیستور اثر میدانی نانو لولهکربنی در تنظیم ولتاژ آستانه مختلف، این ترانزیستورها گزینه مناسبی برای پیادهسازی سیستمهای چند سطحی است و در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمههادی در پیادهسازی سیستمهای چند سطحی انتخاب بهتری میباشد. در این مقاله گزارشی از پیادهسازی مقایسهکننده سهسطحی تک رقمی و دو رقمی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شده است. نتایج شبیهسازی در محیط نرمافزار HSPICE نشان میدهد توان مصرفی مقایسه کننده سه سطحی دو رقمی 55/0 میکروات و زمان تاخیر انتشار 70 پیکو ثانیه میباشد، ضمناً پیادهسازی مقایسه کنندههای پیشنهادی بر پایه تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی 32 نانو متر انجام شده است.  The increasing growth of processing data size in digital systems has increased the number of connections between processing systems, which requires a lot of space to establish communication with other processing systems. The design and implementation of multi value level processing systems reduce the size of processing data. On the other hand, the important issue in the implementation of multi-level processing systems is problems and complications of design. The use of substitute transistors such as nano-carbon tube field effect transistors instead of metal oxide semiconductor field effect transistors while reducing design problems in nano dimensions is functionally more suitable than metal oxide semiconductor field effect transistors. In this article, a report on the implementation of a multi inputs full ternary comparator based on carbon nanotube field effect transistor technology is presented. The implementation report of the one digit and two-digit ternary comparator at the transistor level has been done in this article, and the implementation method of the multi-input ternary comparator has also been presented. The simulation results in the HSPICE software environment show that the power consumption of the proposed comparator is 0.55 µW and the propagation delay time is 70 ps. In addition, the proposed comparator has been implemented based on 32 nm carbon nanotube field effect transistors technology.   ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی, سه‌سطحی, منطق چند‌ارزشی, دیجیتال Carbon Nano Tube Field Effect Transistor, Ternary, Multiple-valued logic, Digital 1 9 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1982-3&slc_lang=fa&sid=1 Mousa Yousefi موسی یوسفی m.yousefi@azaruniv.ac.ir 100319475328460011288 100319475328460011288 Yes Faculty of Engineering, Azarbaijan Shahid Madani University گروه مهندسی برق-دانشکده‌ی فنی و مهندسی- دانشگاه شهید مدنی