<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</title>
<title_fa>نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران</title_fa>
<short_title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://jiaeee.com</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2676-5810</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2676-6086</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/jiaeee</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1402</year>
	<month>12</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2024</year>
	<month>3</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>21</volume>
<number>1</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>آینه جریان توان پایین مبتنی بر ماسفت با گیت شبه شناور</title_fa>
	<title>Quasi-floating gate MOSFET-based low power current mirror</title>
	<subject_fa>الکترونیک</subject_fa>
	<subject>Electronic</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;span style=&quot;font-size:13pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;direction:rtl&quot;&gt;&lt;span style=&quot;unicode-bidi:embed&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Times New Roman&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-weight:bold&quot;&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;امروزه پیشرفت فناوری و کوچک شدن افزاره&#8204;ها و تراشه&#8204;ها در دستگاه&#8204;های الکترونیکی به همراه تقاضا برای قابل حمل بودن آنها و کارکرد آنها برای مدت زمان بیشتر، چالش&amp;shy;های بزرگی از جمله کاهش توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین را پیش روی طراحان مدارات مجتمع آنالوگ قرار داده است. آینه جریان از اجزاء مهم طراحی مدارهای آنالوگ&lt;/span&gt;&lt;/span&gt; &lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;و از پرکاربردترین آنها است که در آن مصرف توان تحت تأثیر ولتاژ تغذیه است. بنابراین، توسعه ساختارهای آینه جریان با ولتاژ پایین و توان کم برای مطابقت با الزامات طراحی &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;CMOS&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; ضروری است.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt; &lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;در این پژوهش یک آینه جریان توان کم ولتاژ پایین با استفاده از ساختار کسکود و تکنیک ماسفت با گیت شبه شناور طراحی شده است که برای بالا بردن مقاومت خروجی آن از تقویت کننده دو طبقه مبتنی بر تکنیک افزاینده بهره استفاده شده است. شبیه&#8204;سازی&#8204;ها با محیط شبیه&#8204;سازی &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;SPICE&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; و فناوری&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;CMOS &lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;&amp;nbsp;۱۸۰ نانومتر&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;TSMC &lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt;&amp;nbsp;صورت گرفته است. آینه جریان پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 3/0&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;Cambria&amp;quot;,&amp;quot;serif&amp;quot;&quot;&gt;&amp;plusmn;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot; style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; ولت کار می&amp;shy;کند و مقاومت&#8204;های ورودی و خروجی آن به ترتیب &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&amp;Omega;&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; 48 و &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;M&amp;Omega;&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; 432 است و پهنای باند آن &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;MHz&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; 2/244 بدست آمده است. مزیت اصلی آینه جریان پیشنهادی نسبت به کارهای مشابه، توان مصرفی پایین آن به مقدار &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;font-size:10.0pt&quot;&gt;&amp;micro;w&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:&amp;quot;B Nazanin&amp;quot;&quot;&gt; 03/14 می&#8204;باشد. &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;span style=&quot;font-size:10pt&quot;&gt;&lt;span new=&quot;&quot; roman=&quot;&quot; style=&quot;font-family:&quot; times=&quot;&quot;&gt;Today, the advancement of technology and the miniaturization of devices and chips in electronic apparatuses along with the demand for their portability and their operation for a longer period of time, have put great challenges in front of the designers of analog integrated circuits. Current mirror is an important component in the design of analog circuits and one of the most widely used circuits in which the power consumption is influenced by the supply voltage. Therefore, it is necessary to develop structures of low-voltage and low-power current mirrors to meet the requirements of CMOS design. In this paper, a low-voltage low-power current mirror has been designed using cascode structure in combination with quasi-floating gate MOSFET technique, and two stages gain boosting amplifiers have been used to increase its output resistance. For this purpose, SPICE simulation environment has been used considering TSMC 180 nm CMOS technology. The proposed current mirror employs a supply voltage of &amp;plusmn;0.3V and its input and output resistances are 48 &amp;Omega; and 432 M&amp;Omega;, respectively, and its bandwidth is 244.2 MHz. The main advance of the proposed current mirror in comparison to similar works is its low power consumption of 14.03 &amp;micro;w.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract>
	<keyword_fa>آینه جریان, توان کم, ولتاژ پایین, گیت شبه شناور, کسکود, پهنای باند</keyword_fa>
	<keyword>Current mirror, low power, low voltage, quasi-floating gate, cascode, bandwidth</keyword>
	<start_page>27</start_page>
	<end_page>38</end_page>
	<web_url>http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-537-4&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Masoud</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>nori</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مسعود</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>نوری</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>nori.m@qut.ac.ir</email>
	<code>100319475328460011238</code>
	<orcid>100319475328460011238</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Qom University of Technology</affiliation>
	<affiliation_fa>مهندسی برق الکترونیک - دانشگاه صنعتی قم</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mehdi</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Bekrani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مهدی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>بکرانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>bekrani@gmail.com</email>
	<code>100319475328460011239</code>
	<orcid>100319475328460011239</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Qom University of Technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه صنعتی قم</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
