fa تحلیل اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمودی بر انتشار امواج الکتریکی عرضی در سیلیسن تک‌لایه الکترونیک Electronic پژوهشي Research <div><strong><span dir="RTL">در این مقاله ما به صورت تحلیی اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن را روی محدوده انتشار امواج الکتریکی عرضی &nbsp;در محدوده فرکانسی 1 تا&nbsp;</span><span dir="RTL"> 30 تراهرتز مورد بررسی قرار داده&shy; ایم. ساختار اتمی تک&shy; لایه سیلیسن برخلاف گرافن، مسطح نیست و همین موضوع باعث شده، رسانایی سطحی سیلیسن علاوه بر تراز فرمی، با میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن نیز قابل تنظیم باشد. این ویژگی باعث می&shy;شود که سیلیسن نسبت به گرافن در محدوده وسیعتری بتواند امواج الکتریکی عرضی را منتشر کند. طبق نتایج شبیه سازی بر پایه معادلات کوبو، به ازای میدان الکتریکی عمودی </span></strong>mV/&Aring;<strong><span dir="RTL"> 100، پهنای باند انتشار امواج الکتریکی عرضی در دماهای </span>K<span dir="RTL"> 5، </span>K<span dir="RTL"> 100، </span>K<span dir="RTL"> 200 و </span>K<span dir="RTL"> 300</span><span dir="RTL"> به ترتیب برابر با </span>THz<span dir="RTL"> 2/9، </span>THz<span dir="RTL"> 8، </span>THz<span dir="RTL"> 1/3 و </span>THz<span dir="RTL"> 9/0</span> <span dir="RTL">است. با افزایش میدان الکتریکی عمودی به </span></strong>mV/&Aring;<strong><span dir="RTL"> 200، پهنای باند برای دماهای مذکور به ترتیب برابر با </span>THz<span dir="RTL"> 7/20، </span>THz<span dir="RTL"> 6/20، </span>THz<span dir="RTL"> 7/16 و </span>THz<span dir="RTL"> 7/11 خواهد بود. در میدان الکتریکی عمودی </span></strong>mV/&Aring;<strong><span dir="RTL"> 300 این مقادیر به ترتیب ذکر شده برابر با </span>THz<span dir="RTL"> 29، </span>THz<span dir="RTL"> 8/28، </span>THz<span dir="RTL"> 4/26 و </span>THz<span dir="RTL"> 8/21</span> <span dir="RTL">می‌شوند. همچنین طول حبس امواج </span>TE<span dir="RTL"> در محدوده‌های انتشار نیز بدست آمده است که نشان می‌دهد با افزایش دما طول حبس زیاد خواهد شد.</span></strong></div> In this paper, we have analytically investigated the effects of temperature and <a name="_Hlk96373730">electric field perpendicular </a>to the silicene surface on the transverse electric wave propagation range in the frequency range of 1 to 30 THz. Unlike graphene, the atomic structure of a silicene composite is not flat, which makes the surface conductivity of silicene, in addition to the Fermi level, adjustable with an electric field perpendicular to the silicene surface. This property allows silicene to emit transverse electric waves over a wider range than graphene. According to the simulation results based on <a name="_Hlk96373629">Kubo equations</a>, per vertical electric field of 100 mV/&Aring;, the propagation bandwidth of TE waves at temperatures of 5 K, 100 K, 200 K and 300 K are equal to 9.2 THz, THz 8, 1.3 THz and 0.9 THz, respectively. By increasing the vertical electric field to 200 mV/&Aring;, the bandwidth for these temperatures will be 20.7 THz, 20.6 THz, 16.7 THz and 11.7 THz, respectively. In the vertical electric field to 300 mV/&Aring;, these values ​​are 29 THz, 28.8 THz, 26.4 THz and 21.8 THz, respectively. The confinement length of TE waves in the propagation ranges has also been obtained, which has increased the trapping length with increasing temperature. سیلیسن, امواج الکتریکی عرضی, رابطه کوبو, امواج تراهرتز, رسانایی سطحی, میدان الکتریکی عمود Silicene, TE Mode, Kubo equations, Tera Hertz, surface conductive, perpendicular electric field 55 61 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1151-3&slc_lang=fa&sid=1 Hamed Emami Nejad حامد امامی نژاد hamedamami@gmail.com 100319475328460011247 100319475328460011247 Yes Lorestan University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه لرستان Ali Mir علی میر mir.a@lu.ac.ir 100319475328460011248 100319475328460011248 No Lorestan University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه لرستان Ali Farmani علی فرمانی farmani.a@lu.ac.ir 100319475328460011249 100319475328460011249 No Lorestan University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه لرستان Reza Talebzadeh رضا طالب زاده talebzadeh.r@lu.ac.ir 100319475328460011250 100319475328460011250 No Lorestan University دانشکده مهندسی برق- دانشگاه لرستان