fa طراحی و ساخت تقویت‌کننده توان 8 وات با بهره و بازدهی بالا در باند X با استفاده از ترانزیسوتور‌های GaN-HEMT به صورت Die برای کاربرد در ارتباطات ماهواره‌ای مخابرات Communication پژوهشي Research در این مقاله، طراحی و ساخت تقویت‌کننده مدار مجتمع ترکیبی مایکروویو (<span dir="LTR">HMIC</span><a href="#_edn1" name="_ednref1" title=""><span dir="LTR">[i]</span></a>) با توان بیش از 8 وات و بهره سیگنال بزرگ بیش از <span dir="LTR">dB</span> 50 در بازه فرکانسی <span dir="LTR">GHz</span> 2/11-95/10 برای کاربرد در ارتباطات ماهواره‌ای ارائه می‌شود. به منظور دست‌یابی به بازدهی بالا در این تقویت‌کننده، دو طبقه انتهایی تقویت‌کننده با استفاده از ترانزیستور‌های <span dir="LTR">GaN-HEMT</span>، به صورت ماژول‌های جداگانه با طراحی سفارشی ساخته شده‌اند. به منظور بررسی تکرارپذیری، 16 ماژول 8 وات ساخته و تست شده‌اند؛ که تمامی آن‌ها، توان خروجی 8 وات و بازدهی بیش از 55 درصد را فراهم نمودند. به منظور دست‌یابی به بهره بیش از <span dir="LTR">dB</span> 50 ، از <span dir="LTR">IC</span>‌های آماده به عنوان طبقات بهره استفاده شده است. در نهایت، عملکرد تقویت‌کننده ساخته شده با استفاده از سیگنال مدوله شده <span dir="LTR">QAM</span> با نرخ <span dir="LTR">MSym/s</span> 10 مورد ارزیابی قرار گرفته و توان متوسط 6 وات با بازدهی بیش از 33% در فرکانس <span dir="LTR">GHz</span> 11 به دست آمده است. <div>&nbsp; <hr align="left" size="1" width="33%" > <div id="edn1"><a href="#_ednref1" name="_edn1" title="">[i]</a> Hybrid Microwave Integrated Circuit</div> </div> In this paper, the design and fabrication of a hybrid microwave integrated circuit (HMIC) power amplifier (PA) with more than 8 Watts of output power and 50 dB of large signal gain in the frequency range of 10.95-11.20 GHz for satellite communications is presented. In order to have a high-efficiency PA, the last two stages of the PA are custom designed and fabricated using GaN transistors as separate modules. To evaluate the repeatability of the designed PA, 16 samples of the custom-designed PA are fabricated and measured. All of the measured PAs provided 8 Watts of output power with more than 55% of power added efficiency (PAE). To have a gain of more than 50 dB, commercial integrated circuits (ICs) are used as gain stages. Finally, the performance of the fabricated PA is evaluated using a 10 MSym/s QAM signal and 6 Watts of average output power with 33% of efficiency is achieved at 11 GHz. تقویت کننده توان, مخابرات ماهواره‌ای, بازدهی توان افزوده, باند X Power amplifier, Satellite communications, Power added efficiency, X-band 83 92 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-2422-1&slc_lang=fa&sid=1 Hamidreza Moazzen حمیدرضا موذن hr.moazzen@itrc.ac.ir 10031947532846009739 10031947532846009739 No Faculty of Communications Technology, Iran Telecommunication Research Center پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات Roghieh Karimzadeh Baee رقیه کریم زاده بائی rkbaee@itrc.ac.ir 10031947532846009740 10031947532846009740 Yes Faculty of Communications Technology, Iran Telecommunication Research Center پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات Amirhossin Ahmadi امیرحسین احمدی ah.ahmadi@itrc.ac.ir 10031947532846009741 10031947532846009741 No Faculty of Communications Technology, Iran Telecommunication Research Center پژوهشکده فناوری ارتباطات-پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات