fa معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <p dir="RTL">در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می&shy;شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول <span dir="LTR">p-n</span> است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه <span dir="LTR">n</span> و <span dir="LTR">p</span> طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع <span dir="LTR">p</span>، ناحیه <span dir="LTR">n⁺</span>&nbsp; امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده بهره جریان قابل توجه و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.</p> <p>In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Simulations show that the proposed transistor has a very high current gain and cutoff frequency.</p> ترانزیستور دوقطبی, وارونگی سطحی, بهره جریان بالا, شبیه سازی عددی دو بعدی Bipolar Junction Transistor, Surface Inversion, Device Simulation, High Current Gain 9 16 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-91&slc_lang=fa&sid=1 Z. Zahiri زینب ظهیری 1003194753284600365 1003194753284600365 Yes S. E. Hosseini سید ابراهیم حسینی 1003194753284600366 1003194753284600366 No B. Kabirian Dehkordi بهنام کبیریان دهکردی 1003194753284600367 1003194753284600367 No