fa کاربرد ممریستور به عنوان سیناپس در سلول های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span style="font-size:13pt"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" style="font-family:" times=""><span style="font-weight:bold"><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">مقاومت حافظه‌دار یا ممریستور </span></span><span dir="LTR" style="font-size:10.0pt">Memristor</span><span style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:"> که امروزه به عنوان چهارمین عنصر مدارهای الکتریکی شناخته می</span></span><span dir="LTR" style="font-size:11.0pt">&shy;</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">شود، عنصری دو پایه است که عملکردی شبیه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته می</span></span><span dir="LTR" style="font-size:11.0pt">&shy;</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">شود. بر طبق منحنی هیسترزیس آن می</span></span><span dir="LTR" style="font-size:11.0pt">&shy;</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">توان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی می</span></span><span dir="LTR" style="font-size:11.0pt">&shy;</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">ماند و مقدار این مقاومت به مقدار، پلاریته و زمان ولتاژ اعمال بستگی دارد. منحنی هیسترزیس جریان</span></span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span majalla="" sakkal="" style="font-family:">&ndash;</span></span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">ولتاژ در ممریستور باعث می&shy;شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد. ممریستور می&shy;تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستورها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. در این مقاله از یک پل ممریستوری متشکل از چهار ممریستور به عنوان یک سیناپس برای اتصال دو سلول عصبی </span></span><span dir="LTR" style="font-size:10.0pt">Integrate and fire</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:"> و هاجکین هاکسلی استفاده شده است.</span></span> <span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">استفاده از سیناپس پل ممریستور در معماری پیشنهادی یکی از مشکلات عمده مربوط به ذخیره وزن غیرفرار در شبکه عصبی آنالوگ را حل می</span></span><span dir="LTR" style="font-size:11.0pt">&shy;</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">کند. با تغییر مقدارهای مختلف هر ممریستور وزن سیناپسی تغییر و قابل برنامه&shy;ریزی خواهد بود و مشخصه ولتاژ و جریان این سیناپس ممریستوری و تغییرات وزن آن روی رفتار سلول&shy;های عصبی </span></span><span dir="LTR" style="font-size:10.0pt">Integrate and fire</span><span lang="FA" style="font-size:11.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:"> و هاجکین هاکسلی بررسی خواهد شد. </span></span></span></span></span></span></span><br> &nbsp; <span style="font-size:13pt"><span new="" roman="" style="font-family:" times=""><span style="font-weight:bold"><span lang="EN" style="font-size:10.0pt"><span style="font-weight:normal">Memory resistor or memristor is already fabricated successfully using current nano dimension technology. Based on its unique hysteresis, the amount of resistance remains constant over time, controlled by the time, the amplitude, and the polarity of the applied voltage. The unique hysteretic current-voltage characteristic in the memristor causes this element to act as a non-volatile resistive memory, to store the information till the next perturbation. In this paper, a bridge consisting of four memristors is introduced as a synapse to connect the two neuron cells, leaky integrate-and-fire, and Hodgkin-Huxley neuron cells. The use of memristor bridge synapse in the proposed architecture solves one of the major problems, regarding nonvolatile weight storage in analog neural network implementations. By changing different values of each memristor, the synaptic weight will be programmable. The current-voltage characteristics and their weight variations will be examined in the behavior of neuron spikes.</span></span></span></span></span><br> &nbsp; ممریستور, سیناپس, سلول عصبی leaky integrate and fire, سلول عصبی هاجکین هاکسلی Memristor, Synapse, leaky Integrate and fire neuron cell, Hodgkin Huxley neuron cell 9 14 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-284-2&slc_lang=fa&sid=1 Ava Salmanpour آوا سلمان پور ava_sal10@yahoo.com 100319475328460010882 100319475328460010882 No Shahid Chamran University, Ahvaz دانشگاه شهید چمران اهواز Masoud Berahman مسعود برهمن m.berahman@kgut.ac.ir 100319475328460010883 100319475328460010883 Yes Graduate University of Advanced Technology دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته