fa تقویت‌کننده توزیع‌شده ماتریس مخروطی با مصرف توان پایین برای کاربردهای فراپهن‌ باند الکترونیک Electronic پژوهشي Research در این مقاله یک تقویت‌کننده توزیع‌شده ماتریسی 3&times;2 با خطوط انتقال مخروطی و مصرف توان پایین در فناوری<span dir="LTR">CMOS nm</span>180 معرفی‌شده است. در این طرح استفاده از ساختار ماتریسی به جهت داشتن مکانیزم ضرب&rlm; شوندگی و جمع شوندگی جریان سبب افزایش بهره و مصرف توان پایین گردیده است. در طبقه ورودی برای افزایش پهنای&rlm; باند و عدم نیاز به استفاده از خازن‌های اضافی در خط انتقال گیت ورودی و خط انتقال مرکزی از یک سلول بهره متوالی با بهره قابل تنظیم استفاده ‌شده است. همچنین، برای بهبود عدد نویز مقاومت انتهایی خط انتقال گیت ورودی با یک شبکه <em><span dir="LTR">RL</span></em> پایان‌ یافته است. تقویت&rlm;کننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری <span dir="LTR">nm</span> 180 <span dir="LTR">CMOS</span> شرکت <span dir="LTR">TSMC</span> طراحی و توسط نرم&rlm; افزار کیدنس شبیه&rlm; سازی شده است. نتایج شبیه &rlm;سازی تقویت&rlm;کننده توزیع &rlm;شده پیشنهادی نشان می‌دهد که با مصرف توان <span dir="LTR">mW</span> 16.25 از یک منبع تغذیه <span dir="LTR">V</span> 1، دارای بهره توان مستقیم <span dir="LTR">(S21)</span>، <span dir="LTR">dB</span>&nbsp;12، تلف بازگشتی ورودی <span dir="LTR">(S₁₁)</span> و خروجی <span dir="LTR">(S₂₂)</span> کمتر از <span dir="LTR">dB</span> 10-، متوسط نقطه تقاطع مرتبه سوم ورودی(<span dir="LTR">IIP3</span>) برابر <span dir="LTR">dBm</span> 6.11- و متوسط عدد نویز <span dir="LTR">dB</span> 5.5 در بازه فرکانسی وسیع <span dir="LTR">GHz</span> 1 تا <span dir="LTR">GHz</span> 24 است. In this paper, a low power 2&times;3 matrix distributed amplifier (DA) with tapper transmission lines is introduced in 180 nm CMOS technology. The matrix structure is used to provide the mechanisms of multiplication and additive of the current for increasing the gain and reducing the power consumption. In the input stage, a controllable cascade gain cell is used to expand the bandwidth and remove to need the additional capacitors in the input gate and central transmission lines. Moreover, the terminating resistor of the input gate transmission line is replaced with an <em>RL</em> network. The proposed distributed amplifier is designed and simulated using TSMC 0.18 &micro;m CMOS technology in Cadence Spectre-RF over the frequency of 1-30 GHz. Operated at 1 V, the proposed DA consumes 25.16 mW. Simulation results show that the proposed DA achieves a direct power gain (S21) of 12&plusmn;1 dB with an average NF of 5.75 dB and average IIP3 of -6.11 over the 1&ndash;24 GHz band of interest. The input and output return losses are also more than 10 dB. تقویت‌کننده توزیع‌شده ماتریسی, خط انتقال مخروطی, کم‌توان, فراپهن‌ باند. Matrix distributed amplifier, Tapered transmission line, Low power, Ultra-wideband 71 82 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-526-2&slc_lang=fa&sid=1 Abolfazl Bijari ابوالفضل بیجاری a.bijari@birjand.ac.ir 10031947532846009612 10031947532846009612 Yes University of Birjand دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه بیرجند Somayeh Abbasi Avval سمیه عباسی اول somayehabbasiaval@birjand.ac.ir 10031947532846009613 10031947532846009613 No University of Birjand دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه بیرجند حسین علیزاده Hosseinalizadeh@birjand.ac.ir 10031947532846009614 10031947532846009614 No University of Birjand دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه بیرجند