fa طراحی تقویت کننده ترارسانایی چهار طبقه CMOS با مساحت تراشه پایین الکترونیک Electronic پژوهشي Research تقویت‌کننده‌های عملیاتی، یکی از پرکاربردترین بلوک‌های پایه‌ای در سیستم‌های آنالوگ و مختلط هستند. در این مقاله، تقویت کننده عملیاتی ترارسانایی چهار طبقه با سطح اشغال تراشه پایین پیشنهاد شده است. در این ساختار، از یک بلوک تمام تفاضلی همزمان به عنوان طبقه چهارم و شبکه جبران سازی استفاده شده است. جبران¬سازی تقویت¬کننده ارائه شده تنها با یک MOSCAP صورت گرفته که ضمن کاهش سطح اشغال تراشه، به سبب کاهش تعداد و مقادیر خازن جبران¬ساز، پهنای باند بهره و ضرایب شایستگی بهبود یافته است. سادگی و استحکام طرح امکان پیاده¬سازی در یک تراشه با ابعاد m μ¬210x250 را فراهم نموده است. تقویت¬کننده چهار طبقه پیشنهادی در تکنولوژی CMOS-mμ0.18  طراحی شده است. مزیت طرح، ارائه ساختاری است قابل پیاده¬سازی و مقاوم در برابر تغییرات پارامترهای مدار ناشی از پیاده¬سازی روی تراشه می¬باشد. بهره تقویت-کننده پیشنهادی 120dB و توان مصرفی 545µW و آهنگ چرخش V/µS 2.12، پهنای باند بهره 16.4MHz و حاشیه فاز 88 درجه می¬باشد. Operational amplifiers are one of the most widely used basic blocks in analog and mixed systems. In this paper, a four-stage transduction operational amplifier with low die occupancy is proposed. In this structure, an all-differential block is used as the fourth stage and the compensation network. The proposed amplifier compensation is done with a single and small MOSCAP. This has improved the GBW and FOM because of reducing the number and amount of the compensating capacitor while reducing the die occupancy.  The simplicity and robustness of the proposed design make it possible to implement in a chip with dimensions of 210x250 μm. The proposed four-stage amplifier is simulated using standard TSMC 0.18µ CMOS technology. The advantage of the design is the presentation of a structure that can be implemented and is robust to changes in circuit parameters in implementation. According to simulation, DC gain, power consumption, slew rate, GBW, and PM are obtained 120dB, 545µW, 2.12 V/µS, 16.4 MHz, and 88⁰, respectively. تقویت کننده ترارسانایی, تقویت کننده چند طبقه, جبران سازی فرکانسی, کاهش سطح تراشه, تکنولوژی CMOS, خازن مبتنی بر ترانزیستور OTA, Multi-stage amplifiers, Frequency compensation, Low area chip, CMOS, MOSCAP 1 7 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-2055-1&slc_lang=fa&sid=1 Behnam Babazadeh Daryan بهنام بابازاده داریان Db.babazadeh@iau-garmsar.ac.ir 10031947532846008506 10031947532846008506 No Garmsar Branch, Islamic Azad University, Garmsar, Iran واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران Hassan Khalesi حسن خالصی h.khalesi@iau-garmsar.ac.ir 10031947532846008507 10031947532846008507 Yes Garmsar Branch, Islamic Azad University, Garmsar, Iran واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران Vahid Ghods وحید قدس v.ghods@semnaniau.ac.ir 10031947532846008508 10031947532846008508 No Semnan Branch, Islamic Azad University, Semnan, Iran واحد سمنان، دانشگاه آزاد اسلامی، سمنان، ایران Alireza Izadbakhsh علیرضا ایزدبخش izadbakhsh_alireza@hotmail.com 10031947532846008509 10031947532846008509 No Garmsar Branch, Islamic Azad University, Garmsar, Iran واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران