fa طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز کم مصرف برای کاربردهای رادیوشناختی الکترونیک Electronic پژوهشي Research <strong><span dir="RTL">رادیو شناختی یک سیستم ارتباطی بیسیم فوق العاده پهن باند است که قابلیت استفاده بهینه از طیف فرکانسی موجود را دارد. برای تحقق چنین سیستمی نیاز به یک تقویت&shy;کننده کم&shy;نویز با پهنای باند بسیار پهن (از </span>MHz<span dir="RTL"> 50 تا </span>GHz<span dir="RTL"> 10) می&shy;باشد. در این کار یک تقویت&shy; کننده کم&shy;نویز کم&shy;مصرف بسیار پهن&shy;باند طراحی شده که دارای ساختار شبه تفاضلی و سلف فعال است. بکارگیری مدارهای فعال مبتنی بر فناوری </span>&nbsp;CMOS<span dir="RTL">که رفتار سلفی از خود نشان می&shy;دهند به عنوان سلف فعال، علاوه بر افزایش پهنای باند تقویت&shy;کننده&shy; و کاهش سطح تراشه، دارای بهره ذاتی بوده و به علت داشتن ضریب کیفیت بالا، قابلیت تنظیم اندوکتانس و فرکانس را نیز دارا می&shy;باشد. </span><span dir="RTL">در این مقاله با اتصال ضربدری دو سلف فعال متشکل از توپولوژی گیت مشترک، یک تقویت&shy;&shy;کننده کم&shy;نویز فوق پهن&shy;باند برای این سیستم، طراحی شده است. این ساختار علاوه بر افزایش پهنای باند فرکانسی، به علت شرایط شبه تفاضلی، با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستورها، علاوه بر کاهش توان مصرفی، سبب کاهش عدد نویز مدار می&shy;شود. نتایج شبیه&shy;سازی با تکنولوژی </span>&micro;mCMOS<span dir="RTL">18_/0 نشان می&shy;دهد که در گستره فرکانسی از </span>MHz<span dir="RTL">50 تا </span>GHz<span dir="RTL">10، این ساختار دارای تطبیق ورودی در کل طیف فرکانسی، و بهتر از </span>dB<span dir="RTL">10-، تغییرات بهره ولتاژ از </span>dB <span dir="RTL">19-5_/16، تغییرات عدد نویز از </span>dB<span dir="RTL">7-3 و نقطه تقاطع مرتبه سوم </span>&nbsp;dBm<span dir="RTL">7_/6- را با توان مصرفی </span>&nbsp;mW<span dir="RTL">29_/9 ارائه می&shy;دهد که برای تحقق سیستم رادیو شناختی نظامی کاملا قابل قبول است.</span></strong> Cognitive radio is well known as an ultra-wideband communication system that intelligently optimizes the available frequency spectrum by implementing the dynamic spectrum monitoring method. The receiver of such a system requires an ultra-wideband low noise amplifier (from 50 MHz to 10 GHz). In this work, a low power ultra-wideband low noise amplifier is proposed by quasi-differential structure and active inductors. Using active circuits as inductors, in addition to expanding the amplifier bandwidth and reducing the chip area, have an inherent gain and due to their high quality factor, have the ability to adjust the inductance and frequency. In addition, the quasi-differential structure increases the transconductance of transistors and reduces both power consumption and noise figure of this circuit. The simulation results in a 0.18 &micro;m CMOS process show that the proposed LNA achieved NF changes 3-7 dB and input matching less than -10 dB in the 0.05-10 GHz band. The voltage gain changes from 16.5-19 dB and third-order intercept point is -6.7 dBm. The power consumption of the main circuit is 1.98 mW with 1.8 V power supply. رادیوشناختی, سلف فعال, تقویت کننده کم نویز پهن باند, کم مصرف, اتصال ضربدری خازنی Cognitive radio, Active inductor, Low noise amplifier (LNA), Low Power, Capacitor Cross Coupled 101 107 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-672-3&slc_lang=fa&sid=1 Mahdi Mazidabadi FarahaniFarahani مهدی مزیدآبادی فراهانی m_mazidabadi@stu.iau-saveh.ac.ir 10031947532846009324 10031947532846009324 No Department of Electrical Engineering, Saveh Branch, Islamic Azad University گروه مهندسی برق- واحد ساوه- دانشگاه آزاد اسلامی Jalil Mazloum جلیل مظلوم jalil.mazloum@ssau.ac.ir 10031947532846009323 10031947532846009323 Yes Shahid Sattari Aeronautical University of Science and Technology دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری Payman Nayebi پیمان نایبی nayebi@iau-saveh.ac.ir 10031947532846009325 10031947532846009325 No Department of Physic, Saveh Branch, Islamic Azad University گروه فیزیک، واحد ساوه- دانشگاه آزاد اسلامی