fa طراحی، شبیه‌سازی و ساخت تقویت‌کننده توان کلاس E پهن باند با تکنیک جبران راکتانس دوگانه و کنترل‌ هارمونیک‌های دوم و سوم الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span dir="RTL">در این مقاله، یک تقویت‌کننده توان کلاس </span><strong>E</strong><span dir="RTL"> پهن باند برای کاربرد در سیستم‌های مخابرات ماهواره‌ای طراحی</span><span dir="RTL">، </span><span dir="RTL">شبیه‌سازی </span><span dir="RTL">و ساخته</span><span dir="RTL"> شده است. در طراحی این تقویت‌کننده از دو مدار کنترل‌کننده هارمونیکی مرتبه دوم و سوم به منظور حذف هارمونیک‌های ناخواسته و همچنین تکنیک جبران راکتانس دوگانه جهت دست‌یابی به پهنای باند وسیع استفاده شده است. ترانزیستور </span><strong>LDMOS</strong><span dir="RTL"> نوع </span><strong>AFT09MS007N</strong><span dir="RTL"> به عنوان عنصر اکتیو مدار پیشنهادی مورد استفاده قرار گرفته است</span><span dir="RTL">. پس از محاسبه مقادیر بهینه المان‌ها، تقویت‌کننده پیشنهادی ابتدا با عناصر ایده‌آل و سپس با مدل واقعی المان‌ها و با استفاده از نرم‌افزار </span><strong>ADS</strong><span dir="RTL"> شبیه‌سازی شده و نتایج به دست آمده مورد ارزیابی قرار گرفته است. سپس با هدف بررسی عملکرد واقعی، تقویت‌کننده پیشنهادی ساخته و اندازه‌گیری شده است. نتایج اندازه‌گیری نشان می‌دهد که تقویت‌کننده توان پیشنهادی در پهنای باند فرکانسی بین </span><strong>MHz</strong><span dir="RTL"> 400 تا </span><strong>MHz</strong><span dir="RTL"> 460، دارای راندمان درین بیش از 75 % و راندمان توان افزوده بهتر از 69 % می‌باشد. همچنین در رنج فرکانسی یاد شده، دارا بودن بیشینه مقادیر راندمان درین 83 % و راندمان توان افزوده 75 % به ازای توان ورودی </span><strong>dBm</strong><span dir="RTL"> 27 و ولتاژ درین </span><strong>V</strong><span dir="RTL"> 12 از دیگر ویژگی‌های مطلوب تقویت‌کننده پیشنهادی است. درنهایت تشابه قابل قبولی بین نتایج شبیه‌سازی و اندازه‌گیری شده مشاهده می‌شود.</span> In this paper, the analysis, simulation and fabrication of high-efficiency broadband parallel-circuit Class-E power amplifier (PA) for satellite communication systems has been presented. The PA&rsquo;s broadband characteristics are achieved through analysis of the load network using double reactance compensation technique, second and third harmonic control circuits. The proposed circuit has been simulated by ADS 2014 and simulated results by ideal and real elements have been evaluated. A high power LDMOS transistor AFT09MS007N was used as an active device. Then for validation, a prototype of the proposed PA has been fabricated and tested. The measured results show that the drain efficiency (DE) and power added efficiency (PAE) are more than 75% and 69% over 400-460 MHz frequency range, respectively. In addition, the maximum values DE of 83% and PAE of 75% for input power of 27 dBm and drain voltage of 12 V has been obtained. Finally, the simulated and measured results are in a good agreement.<br> &nbsp; تقویت‌کننده توان, کلاس E, تکنیک جبران راکتانس, راندمان درین, راندمان توان افزوده, نرم‌افزار ADS. Power Amplifier, Class E, Reactance Compensation Technique, Drain Efficiency, Power Added Efficiency, ADS Software. 9 17 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1676-2&slc_lang=fa&sid=1 Akram Sheikhi اکرم شیخی akram.sheikhi2008@gmail.com 10031947532846008510 10031947532846008510 Yes Lorestan University دانشگاه لرستان Ali Sajadi علی سجادی sajadiali1993@yahoo.com 10031947532846008511 10031947532846008511 No Lorestan University دانشگاه لرستان