fa طراحی، شبیه‌سازی و ساخت سوئیچ خازنی RF MEMSبر روی بستر آلومینا الکترونیک Electronic پژوهشي Research <p><strong><span dir="RTL">در این مقاله طراحی، شبیه&shy;سازی و ساخت یک سوئیچ خازنی </span></strong>RF MEMS<strong><span dir="RTL"> موازی کم تلف بروی موجبر هم&shy;صفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس </span></strong>GHz<strong><span dir="RTL"> 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم&shy;صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه </span><span dir="RTL">&Omega;</span><span dir="RTL">50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیه&shy;سازی المان محدود و موجی کامل با نرم افزارهای </span></strong>CoventorWare<strong><span dir="RTL"> و </span></strong>HFSS<strong><span dir="RTL"> بدست آمده است. در این مقاله نشان داده شده که سوئیچ طراحی شده دارای عملکرد مناسبی در این باند فرکانسی است، بطوریکه ولتاژ پایین کشنده </span></strong>v<strong><span dir="RTL">25/19، تلفات داخلی </span></strong>dB<strong><span dir="RTL">8/0، تلفات بازگشتی بیشتر از </span></strong>dB<strong><span dir="RTL">8/9 و مقدار ایزولاسیون نیز </span></strong>dB<strong><span dir="RTL">50 حاصل شده است. با توجه به ابعاد طراحی شده، نمونه آزمایشگاهی سوئیچ بروی بستر آلومینا ساخته شده که بر اساس اندازه&shy;گیری&shy;های صورت گرفته، مقدار تلفات داخلی </span></strong>dB<strong><span dir="RTL">5/2 و تلفات بازگشتی بیشتر از </span></strong>dB<strong><span dir="RTL">10 حاصل شده است.</span></strong></p> <p>In this paper, design, analysis and fabrication of a low loss capacitive RF MEMS shunt switch, which made on the coplanar waveguide transmission line and alumina substrate in the frequency band of 40-60 GHz, is presented. The CPW is designed to have 50&Omega; impedance matching on the alumina substrate. Then the desired switch is designed with appropriate dimensions. Afterward the important parameters are obtained by finite element and full-wave electromagnetic simulations by CoventorWare and HFSS. It is shown that for the designed switch, pull-in voltage is 19.25v, insertion-loss is 0.8dB, return-loss is more than 9.8dB and the isolation is 50dB. At the end, the laboratory sample of designed switch is fabricated on alumina substrate and tested, and the possible parameters are obtained. We concluded that the designed switch has appropriate insertion and return loss and good isolation, and fabricated switch has acceptable properties.</p> سوئیچ RF MEMS, موجبر هم‌صفحه, تحریک الکترواستاتیکی, تلفات داخلی, ایزولاسیون RF MEMS Switch, Coplanar Waveguide, Electrostatic Actuation, Insertion Loss, Isolation 15 24 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-67&slc_lang=fa&sid=1 S. Delaram Farimani سعید دل آرام فریمانی 1003194753284600287 1003194753284600287 Yes H. Hajghasem حسن حاج قاسم 1003194753284600288 1003194753284600288 No A. R. Erfanian علیرضا عرفانیان 1003194753284600289 1003194753284600289 No M. R. Aliahmad مجیدرضا علی احمدی 1003194753284600290 1003194753284600290 No