fa بررسی و مدل‌سازی اثر ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) و تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در افزاره‌های چندگیتی نانومتری الکترونیک Electronic پژوهشي Research <p dir="RTL"><strong>در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ </strong><strong><span dir="LTR">(R-D)</span></strong><strong>، مدل‌هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی </strong><strong><span dir="LTR">(NBTI)</span></strong><strong> در یک </strong><strong><span dir="LTR">MOSFET</span></strong><strong> سه گیتی کانال </strong><strong><span dir="LTR">P</span></strong><strong> و پدیده تزریق حامل‌های پرانرژی </strong><strong><span dir="LTR">(HCI)</span></strong><strong> در یک افزاره </strong><strong><span dir="LTR">FinFET</span></strong><strong> سه گیتی توده کانال </strong><strong><span dir="LTR">N</span></strong><strong> ارائه می&shy;شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می‌شود. نتایج به دست آمده در مقاله بیانگر این است که در افزاره&shy;های سه گیتی به علت ساختار افزاره و اثر گوشه&shy;های بدنه، تولید تله در اثر پدیده&shy;های </strong><strong><span dir="LTR">NBTI</span></strong><strong> و </strong><strong><span dir="LTR">HCI</span></strong><strong>، نسبت به افزاره‌های </strong><strong><span dir="LTR">MOSFET</span></strong><strong> مسطح بیشتر و طول عمر افزاره کمتر می&shy;باشد. همچنین در ادامه اثر بدنه شناور روی پدیده </strong><strong><span dir="LTR">NBTI</span></strong><strong> در یک افزاره </strong><strong><span dir="LTR">MOSFET</span></strong><strong> دوگیتی </strong><strong>با استفاده از روش حل یک بعدی معادله پواسون در ناحیه‌ی وارونگی</strong><strong> مدل می‌شود و با حالت وجود اتصال بدنه مقایسه می‌شود. نتایج حاصل با استفاده از روش حل عددی </strong><strong><span dir="LTR">FDM</span></strong><strong> تأیید می‌شود و نتایج حاصل بیانگر این است که به علت تجمع الکترون&shy;های حاصل از تولید تله&shy;ها در اثر پدیده </strong><strong><span dir="LTR">NBTI</span></strong><strong> در بدنه شناور و اثر این الکترون&shy;ها در کاهش میدان اکسید، اثر این پدیده‌ در افزاره&shy;های دارای بدنه شناور کم شده و طول عمر افزاره افزایش می‌یابد.</strong></p> <p>In this paper, analytical models for NBTI induced degradation in a P-channel triple gate MOSFET and HCI induced degradation in an N-channel bulk FinFET are presented, through solving the Reaction-Diffusion equations multi-dimensionally considering geometry dependence of this framework of equations. The new models are compared to measurement data and gives excellent results. The results interpret accurately the geometry dependence of the time exponent of NBTI and HCI degradations in these device structures. In addition, the floating-body effect on NBTI phenomenon in an undoped double-gate (DG) MOSFETs is modeled and investigated by solving the one-dimensional (1-D) Poisson&#39;s equation considering NBTI effect, in inversion region for different stress voltages and different device body thicknesses. The accuracy of the model is verified by the finite difference method (FDM). These results show that in FB devices, accumulation of NBTI generated electrons in the device body brings about reduction of the body potential and the oxide field. Therefore the interface trap generation rate in FB devices decreases which leads to smaller amount of interface traps and degradation in these devices compared to BT devices.</p> : ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI), تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI), افزاره‌های چند گیتی, مدل واکنش-نفوذ (R-D) , اثر بدنه شناور, معادله پواسون Negative Bias Temperature Instability (NBTI), Hot Carrier Injection (HCI), Multi-Gate Devices, Reaction–Diffusion (R–D)model, Floating body effect, Poisson's equation. 1 14 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-1-66&slc_lang=fa&sid=1 N. Ghobadi نیره قبادی 1003194753284600285 1003194753284600285 Yes A. Afzali-Kusha علی افضلی کوشا 1003194753284600286 1003194753284600286 No