fa بررسی اثر ضخامت لایه تجمع بار در یک مدولاتور جذبی مبتنی بر ماده با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر الکترونیک Electronic پژوهشي Research <span dir="RTL">در این مقاله، عملکرد یک مدولاتور نوری مبتنی بر ماده&shy;ای با خواص ضریب گذردهی نزدیک صفر(ایندیوم تین اکساید)در باند فرکانسی مخابرات نوری به ازای ضخامت&shy;های متفاوت لایه تجمع بار بررسی می</span><span dir="RTL">&shy;شود. در این مدولاتور از طرح خازن فلز-اکسید-</span><span dir="RTL">نیمه</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">هادی برای تغییر بار الکتریکی در لبه دی الکتریک و ایندیوم تین اکساید استفاده می</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">شود. از حل کننده مد انتشاری برای یافتن پارامترهای اساسی مدولاتور استفاده می</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">شود. در این مقاله از یک مدل رایج برای معرفی لایه تجمع بار در ایندیوم تین اکساید استفاده می</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">شود. پاسخ بدست آمده وجود یک بیشینه در نمودار تلفات الحاقی در ولتاژ 3/2 ولت با ضخامت لایه&shy;ی 1 نانومتر را نشان می</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">دهد. این مقدار حدود </span><strong>dB/&mu;m</strong><span dir="RTL"> 4/8 است. نتایج بدست آمده از تغییرات ضخامت لایه</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">های ایندیوم تین اکساید و دی</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">الکتریک استفاده شده، افت میزان تلفات و نرخ خاموشی به ازای افزایش آنها را نشان می</span><span dir="RTL">&shy;</span><span dir="RTL">دهد. همچنین افزایش ضخامت بار الکتریکی در ایندیوم تین اکساید باعث افزایش ولتاژ خاموشی در مدولاتور می&shy;شود. در ضمن این کار میزان تلفات الحاقی را نیز افزایش می&shy;دهد.</span> <span new="" roman="" style="font-family: " times=""><font color="#000000">In this paper, the performance of an optical modulator based on indium tin oxide is investigated at telecommunication wavelength for different accumulation thickness. The plan of metal-oxide-semiconductor is utilized to change the carrier concentration at indium tin oxide-hafnium oxide interface. An optical mode solver based finite element method has been used to calculate the basic parameters such as the insertion loss and extinction ratio. A typical model is presented for carrier concentration modeling of indium tin oxide. The simulation result shows a peak in insertion loss plot with value of 8.4 dB/</font></span><span new="" roman="" style="font-family: " times=""><font color="#000000">&mu;m. Also, the variation of ITO and HfO₂</font><font color="#000000"> thicknesses have been investigated. The results show that by increasing the thicknesses, insertion loss and extinction ratio decrease. Furthermore, the effect of accumulation layer thickness of indium tin oxide is investigated on modulator performance.</font></span> مدولاتور نوری, ایندیوم تین اکساید, اثر ضخامت لایه بار, حل کننده مد انتشاری, تلفات الحاقی, نرخ خاموشی indium tin oxide, optical modulator, Mode solver, FEM, insertion loss, extinction ratio 59 64 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-672-2&slc_lang=fa&sid=1 Jalil Mazloum جلیل مظلوم Jalil.Mazloum@ssau.ac.ir 10031947532846009236 10031947532846009236 Yes Department of Electrical Engineering ShahidSattari Aeronautical university of Science and Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری، تهران Behrang Hadian بهرنگ هادیان B_hadian@sbu.ac.ir 10031947532846009237 10031947532846009237 No Department of Electrical Engineering ShahidSattari Aeronautical university of Science and Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری، تهران Human Akbarzadeh هومن اکبرزاده Houman.akbarzadeh@gmail.com 10031947532846009238 10031947532846009238 No Department of Electrical Engineering ShahidSattari Aeronautical university of Science and Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری، تهران Amin ollah Izadi رذذ امین اله ایزدی Aminizadi1980@gmail.com 10031947532846009239 10031947532846009239 No Department of Electrical Engineering ShahidSattari Aeronautical university of Science and Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری، تهران