fa خطی سازی تقویت‌کننده کم نویز کسکود با پیاده‌سازی روش برهم‌نهی اجزا مخابرات Communication پژوهشي Research <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">این مقاله درصدد بهبود خطینگی تقویت‌کننده کم نویز است که با موازی کردن یک مسیر کمکی به تقویت‌کننده‌ی اصلی به دست می‌آید و نیز برای دستیابی به بهره بیشتر از ترکیب کسکود استفاده‌شده است، در مدار پیشنهادشده از طریق ایجاد مسیر کمکی و سلف‌های اضافه‌شده در پایه سورس ترانزیستور</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">،</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> دامنه و فاز تنظیم می‌شود. به‌این‌ترتیب کنترل </span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ضریب غیرخطی مرتبه سوم ممکن می‌گردد، تا درنهایت ضریب غیرخطی مرتبه سوم کل</span></span> <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">را تا حد امکان کوچک نمود. </span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">همچنین اثر ضریب غیرخطی مرتبه دوم</span></span> <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">بروی </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">IIP3</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> موردبررسی قرار می‌گیرد. معمولاً برای تحلیل اثرات غیرخطی، از تحلیل سری توانی استفاده می‌شود. پیشنهاد روش (</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">DS</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) </span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ارائه‌شده </span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله،</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> قابلیت اضافه شدن به انواع مدارهای تقویت‌کننده</span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">‌</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> را دارا است چراکه به‌صورت موازی با تقویت‌کننده اصلی قرار می‌گیرد. در این شبیه‌سازی از تکنولوژی </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">TSMC_RF 180 nm</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> استفاده‌شده است. نتایج به‌دست‌آمده مقدار&nbsp; بهره را در حدود </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">18dB</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، عدد نویز </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">2.43dB</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp; و مقدار </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">IIP3</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> در حدود </span></span><span dir="LTR" style="font-weight:normal;"><span style="font-size:10.0pt;">+7.5dB</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp; نشان می‌دهد.</span></span> An improvement in linearity of LNA amplifiers is achieved in proposed paper using auxiliary path, paralleled with the main amplifier. Moreover a cascode structure is employed to reach better amplifier parameter. Phase and amplitude are set through the second path and additional inductances in this transistor Source. Consequently non-linearity coefficient is controlled which leads to minimize the overall non-linearity coefficient. An investigation is also conducted on second-order non linearity coefficient which directly influences on IIP3. Power analyses can be used for it buta volterra analysis is applied for more accuracy and better nonlinearity modeling. DS method which is proposed in this paper can be added to various amplifier circuits since it parallels with the main circuit. Noise figure is controlled since the gates of transistors are not connected together directly. In this case we have reached an appropriate linearity which was anticipated the simulation results show a gain of 18dB, a noise figure of 2.43dB, and an IIP3 of 7.5dBm. All simulations are carried out using in 0.18 &micro;m TSMC-RF technology. خطی سازی, تقویت‌کننده کم نویز, LNA, Feed Forward,Derivative superposition (DS) Linearization Technique, LNA, Feed Forward, Derivative Superposition (DS) 79 87 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-383-1&slc_lang=fa&sid=1 Mohammad Hossain Mesgarof محمدحسین مسکراف Mo.Ms116@sadjad.ac.ir 10031947532846005342 10031947532846005342 Yes Faculty of Electrical Engineering, Sadjad University of Technology دانشکده مهندسی برق و مهندسی پزشکی- دانشگاه صنعتی سجاد Abbas Golmakani عباس گلمکانی Golmakani@sadjad.ac.ir 10031947532846005343 10031947532846005343 No Faculty of Electrical Engineering, Sadjad University of Technology دانشکده مهندسی برق و مهندسی پزشکی- دانشگاه صنعتی سجاد