fa طراحی ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا با پیوند ناهمگون GaN/AlGaN با گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی الکترونیک Electronic پژوهشي Research در این مقاله، ترانزیستوری با قابلیت تحرک الکترون بالا (<span dir="LTR">HEMT</span>) با استفاده از پیوند ناهمگون <span dir="LTR">GaN/AlGaN</span> با لایه جدا کننده ذاتی و گیت پشتی پیشنهاد گردیده است. اثر گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی <span dir="LTR">GaN</span> بر &nbsp;رفتار <span dir="LTR">DC</span> و <span dir="LTR">AC</span> ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته است. پارامترهای عملکرد مانند جریان درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، حداکثر فرکانس نوسان، سویینگ زیر آستانه و <span dir="LTR">DIBL</span>&nbsp; برای همه طراحی ها محاسبه شده است. پارامترهای مذکور بین ساختارهای تک گیتی و دوگیتی پیشنهادی مقایسه شده است که حاکی از بهبود رفتار ترانزیستور با اضافه شدن گیت پشتی است. همچنین اثر اضافه نمودن لایه جدا کننده ذاتی بر پارامترهای ترانزیستور دو گیتی پیشنهادی بررسی گردیده است. محاسبه پاسخ فرکانسی نشان می دهد فرکانس قطع <span dir="LTR">HEMT</span> دو گیتی پیشنهادی برابر با 272 است که نسبت به مقدار <span dir="LTR">GHz</span> 132 مربوط به ساختار دو گیتی بدون لایه جدا کننده بهبود قابل ملاحظه ای یافته است. نتایج نشان می دهد، اضافه نمودن گیت پشتی و لایه جدا کننده ذاتی هر دو باعث بهبود مشخصات <span dir="LTR">DC</span> و <span dir="LTR">AC</span> در <span dir="LTR">HEMT</span> می شوند.&nbsp; <p style="text-align:justify"><span style="font-size:10.0pt">In this paper, GaN/AlGaN heterojunction high electron mobility transistors (HEMTs) with intrinsic spacer layer and back gate have been proposed. The effect of the back gate and intrinsic GaN spacer layer on transistors&rsquo; DC and AC behavior have been studied. Performance parameters such as drain current, transconductance, cutoff frequency, maximum oscillation frequency, subthreshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL) have been calculated for all designs. The mentioned parameters have been compared between the proposed single-gate and double-gate structures which show the improved performance of the transistor with added back gate. In addition, the effect of adding the intrinsic space layer to the proposed doube gate HEMT has been investigated. The calculation of the frequency response shows that the cut-off frequency of the proposed HEMT is 272 GHz which has considerably increased compared to the 132 GHz for the<span dir="RTL"></span><span dir="RTL"></span><span dir="RTL"><span dir="RTL"></span><span dir="RTL"></span> </span>double gate HEMT without spacer layer. The results reveal that adding the back gate and the intrinsic spacer layer to the structures, both have resulted in improved DC and AC characteristics of the HEMT.</span></p> HEMT,GaN, پیوند ناهمگون, گیت پشتی, لایه جدا کننده ذاتی HEMT, GaN, Heterojunction, Back Gate, Intrinsic Spacer Layer 63 70 http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-701-2&slc_lang=fa&sid=1 Zoheir Kordrostami زهیر کردرستمی kordrostami.research@gmail.com 10031947532846008524 10031947532846008524 Yes Shiraz Univ. of Tech. دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز Koroush Hassanli کوروش حسنلی hassanli@sutech.ac.ir 10031947532846008525 10031947532846008525 No Shiraz Univ. of Tech. دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز Anahita Ghaderi آناهیتا قادری anahita.ghaderi@gmail.com 10031947532846008526 10031947532846008526 No Shiraz Univ. of Tech. دانشکده مهندسی برق- الکترونیک- دانشگاه صنعتی شیراز- شیراز