<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</title>
<title_fa>نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران</title_fa>
<short_title>Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers</short_title>
<subject>Engineering &amp; Technology</subject>
<web_url>http://jiaeee.com</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>2676-5810</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>2676-6086</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>10.61882/jiaeee</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1401</year>
	<month>1</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2022</year>
	<month>4</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>19</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>طراحی، شبیه‌سازی و بهینه‌سازی سوئیچ خازنی میکروالکترومکانیکی RF به‌منظور کاهش ولتاژ تحریک</title_fa>
	<title>Design, simulation and optimization of an RF MEMS  capacitive switch to reduce actuation voltage</title>
	<subject_fa>الکترونیک</subject_fa>
	<subject>Electronic</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;بالا بودن ولتاژ تحریک یکی از مهم&#8204;ترین محدودیت&#8204;های سوئیچ&#8204;های &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;RF MEMS&lt;/span&gt; است. یکی از روش&amp;shy;های کاهش ولتاژ تحریک، کاهش ثابت فنری در ساختار سوئیچ است. در این مقاله ثابت فنری سوئیچ &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;RF MEMS&lt;/span&gt; با روش انرژی مدل شده و ثابت فنری آن به&#8204;صورت تحلیلی به&#8204;دست&#8204;آمده است. نتیجه این تحلیل یک راهنمای طراحی است که حداقل میزان مجاز ثابت فنری را نشان می دهد. سپس ساختار جدیدی با ولتاژ تحریک بسیار پایین برای سوئیچ&amp;shy;های &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;RF MEMS&lt;/span&gt; ارائه می&#8204;شود که محدودیت فوق در آن رعایت شده است. نتایج تحلیل، مقدار ثابت فنری 0.0714 نیوتن بر متر و مقدار ولتاژ تحریک1.61ولت را نشان می&#8204;دهد. به&#8204;منظور ارزیابی عملکرد ساختار ارائه&#8204;شده و صحه&#8204;گذاری نتایج تحلیل، سوئیچ طراحی&#8204;شده با استفاده از نرم&#8204;افزار &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;COMSOL&lt;/span&gt; شبیه&#8204;سازی&#8204;شده است. نتایج این شبیه&#8204;سازی، ولتاژ تحریک 1.8 ولت، زمان سوئیچینگ 25.6میکروثانیه، فون مایسس 4.5 مگا پاسکال، فرکانس طبیعی 3118.6 هرتز، جرم آن 0.206 نانوگرم و درنهایت ثابت فنر 0.079 نیوتن بر متر را نشان می&#8204;دهد. جنس پل و بیم&#8204;ها از طلا است و از &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;Si&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;N&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;&lt;/span&gt; به&#8204;عنوان دی&#8204;الکتریک استفاده&#8204;شده است. درنهایت، عملکرد فرکانس بالای سوئیچ طراحی&#8204;شده با استفاده از نرم&#8204;افزار &lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;HFSS&lt;/span&gt; شبیه&#8204;سازی&#8204;شده است. این شبیه&#8204;سازی، ایزولاسیون 25 دسی&#8204;بل، اتلاف عبوری 0.7 دسی&#8204;بل و اتلاف بازگشتی 16 دسی&#8204;بل را در فرکانس 10 گیگاهرتز نشان می&#8204;دهد.&lt;/div&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;div style=&quot;text-align: justify;&quot;&gt;&amp;nbsp;High actuation voltage is one of the most important limitations of RF MEMS switches. One way to reduce the actuation voltage is to reduce the spring constant in the switch structure.&amp;nbsp; In this paper, we model the spring constant using Energy Model and we obtain an analytic equation to calculate it. The result is an analytic design guide that determines the minimum value of the spring constant. Then, a new RF MEMS structure with very low actuation voltage is presented. The structure is modeled by the energy method and the spring constant is calculated analytically. Analysis results show the spring constant of 0.0714 N/m and an actuation voltage of 1.61 V. To evaluate the performance of the proposed structure and to validate the results of the analysis, a switch was designed using simulated COMSOL software. The results of this simulation show the actuation voltage of 1.8 volts, the switching time of 25.6 microseconds, the 4.5 MPa Von Mises stress, the natural frequency of 3118.6 Hz, its mass of 0.206 ng and finally the spring constant of 0.079 N/m. The beam is made of gold and Si&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;N&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt; is used as a dielectric. Finally, the high frequency performance of the switch is designed using simulated HFSS software. The simulation shows a 25 dB isolation, a 0.7 dB insertion loss, and a 16 dB return loss at 10 GHz.&lt;/div&gt;</abstract>
	<keyword_fa>سوئیچ‌های RF MEMS, ثابت فنری, ولتاژ تحریک, زمان سوئیچینگ, فون مایسس, روش انرژی</keyword_fa>
	<keyword>RF MEMS switch, Low actuation voltage, Spring Constant, Switching Time, Von Mises stress, Energy Method</keyword>
	<start_page>1</start_page>
	<end_page>11</end_page>
	<web_url>http://jiaeee.com/browse.php?a_code=A-10-697-2&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Farid</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Khamoii Toli</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>فرید</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>خموئی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>f_khamoii@elec.iust.ac.ir</email>
	<code>10031947532846009297</code>
	<orcid>10031947532846009297</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق- دانشگاه علم و صنعت ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Javad</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Yavand Hasani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>جواد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>یاوند حسنی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>yavand@iust.ac.ir</email>
	<code>10031947532846009298</code>
	<orcid>10031947532846009298</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق- دانشگاه علم و صنعت ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
