RT - Journal Article T1 - Design and Simulation of Low Power Low Noise Amplifier For Cognitive Radio Applications JF - jiaeee YR - 2022 JO - jiaeee VO - 19 IS - 2 UR - http://jiaeee.com/article-1-1157-fa.html SP - 101 EP - 107 K1 - Cognitive radio K1 - Active inductor K1 - Low noise amplifier (LNA) K1 - Low Power K1 - Capacitor Cross Coupled AB - رادیو شناختی یک سیستم ارتباطی بیسیم فوق العاده پهن باند است که قابلیت استفاده بهینه از طیف فرکانسی موجود را دارد. برای تحقق چنین سیستمی نیاز به یک تقویت­کننده کم­نویز با پهنای باند بسیار پهن (از MHz 50 تا GHz 10) می­باشد. در این کار یک تقویت­ کننده کم­نویز کم­مصرف بسیار پهن­باند طراحی شده که دارای ساختار شبه تفاضلی و سلف فعال است. بکارگیری مدارهای فعال مبتنی بر فناوری CMOSکه رفتار سلفی از خود نشان می­دهند به عنوان سلف فعال، علاوه بر افزایش پهنای باند تقویت­کننده­ و کاهش سطح تراشه، دارای بهره ذاتی بوده و به علت داشتن ضریب کیفیت بالا، قابلیت تنظیم اندوکتانس و فرکانس را نیز دارا می­باشد. در این مقاله با اتصال ضربدری دو سلف فعال متشکل از توپولوژی گیت مشترک، یک تقویت­­کننده کم­نویز فوق پهن­باند برای این سیستم، طراحی شده است. این ساختار علاوه بر افزایش پهنای باند فرکانسی، به علت شرایط شبه تفاضلی، با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستورها، علاوه بر کاهش توان مصرفی، سبب کاهش عدد نویز مدار می­شود. نتایج شبیه­سازی با تکنولوژی µmCMOS18/0 نشان می­دهد که در گستره فرکانسی از MHz50 تا GHz10، این ساختار دارای تطبیق ورودی در کل طیف فرکانسی، و بهتر از dB10-، تغییرات بهره ولتاژ از dB 19-5/16، تغییرات عدد نویز از dB7-3 و نقطه تقاطع مرتبه سوم dBm7/6- را با توان مصرفی mW29/9 ارائه می­دهد که برای تحقق سیستم رادیو شناختی نظامی کاملا قابل قبول است. LA eng UL http://jiaeee.com/article-1-1157-fa.html M3 10.52547/jiaeee.19.2.101 ER -