TY - JOUR T1 - Memristor Bridge Synapse Application for Integrate and Fire and Hodgkin-Huxley Neuron Cell TT - کاربرد ممریستور به عنوان سیناپس در سلول های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی JF - jiaeee JO - jiaeee VL - 20 IS - 1 UR - http://jiaeee.com/article-1-1304-fa.html Y1 - 2023 SP - 9 EP - 14 KW - Memristor KW - Synapse KW - leaky Integrate and fire neuron cell KW - Hodgkin Huxley neuron cell N2 - مقاومت حافظه‌دار یا ممریستور Memristor که امروزه به عنوان چهارمین عنصر مدارهای الکتریکی شناخته می­شود، عنصری دو پایه است که عملکردی شبیه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته می­شود. بر طبق منحنی هیسترزیس آن می­توان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی می­ماند و مقدار این مقاومت به مقدار، پلاریته و زمان ولتاژ اعمال بستگی دارد. منحنی هیسترزیس جریان–ولتاژ در ممریستور باعث می­شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد. ممریستور می­تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستورها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. در این مقاله از یک پل ممریستوری متشکل از چهار ممریستور به عنوان یک سیناپس برای اتصال دو سلول عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی استفاده شده است. استفاده از سیناپس پل ممریستور در معماری پیشنهادی یکی از مشکلات عمده مربوط به ذخیره وزن غیرفرار در شبکه عصبی آنالوگ را حل می­کند. با تغییر مقدارهای مختلف هر ممریستور وزن سیناپسی تغییر و قابل برنامه­ریزی خواهد بود و مشخصه ولتاژ و جریان این سیناپس ممریستوری و تغییرات وزن آن روی رفتار سلول­های عصبی Integrate and fire و هاجکین هاکسلی بررسی خواهد شد. M3 10.52547/jiaeee.20.1.9 ER -