%0 Journal Article %A Moazzen, Hamidreza %A Karimzadeh Baee, Roghieh %A Ahmadi, Amirhossin %T Design and Fabrication of a High-Efficiency and High-Gain X-Band Power Amplifier Using GaN-HEMT Die Transistors for Satellite Communications %J Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers %V 19 %N 3 %U http://jiaeee.com/article-1-1363-fa.html %R 10.52547/jiaeee.19.3.83 %D 2022 %K Power amplifier, Satellite communications, Power added efficiency, X-band, %X در این مقاله، طراحی و ساخت تقویت‌کننده مدار مجتمع ترکیبی مایکروویو (HMIC[i]) با توان بیش از 8 وات و بهره سیگنال بزرگ بیش از dB 50 در بازه فرکانسی GHz 2/11-95/10 برای کاربرد در ارتباطات ماهواره‌ای ارائه می‌شود. به منظور دست‌یابی به بازدهی بالا در این تقویت‌کننده، دو طبقه انتهایی تقویت‌کننده با استفاده از ترانزیستور‌های GaN-HEMT، به صورت ماژول‌های جداگانه با طراحی سفارشی ساخته شده‌اند. به منظور بررسی تکرارپذیری، 16 ماژول 8 وات ساخته و تست شده‌اند؛ که تمامی آن‌ها، توان خروجی 8 وات و بازدهی بیش از 55 درصد را فراهم نمودند. به منظور دست‌یابی به بهره بیش از dB 50 ، از IC‌های آماده به عنوان طبقات بهره استفاده شده است. در نهایت، عملکرد تقویت‌کننده ساخته شده با استفاده از سیگنال مدوله شده QAM با نرخ MSym/s 10 مورد ارزیابی قرار گرفته و توان متوسط 6 وات با بازدهی بیش از 33% در فرکانس GHz 11 به دست آمده است. [i] Hybrid Microwave Integrated Circuit %> http://jiaeee.com/article-1-1363-fa.pdf %P 83-92 %& 83 %! %9 Research %L A-10-2422-1 %+ Faculty of Communications Technology, Iran Telecommunication Research Center %G eng %@ 2676-5810 %[ 2022