TY - JOUR T1 - Design of a Low Power Magnetic Memory in the Presence of Process Variations TT - طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت JF - jiaeee JO - jiaeee VL - 18 IS - 1 UR - http://jiaeee.com/article-1-733-fa.html Y1 - 2021 SP - 51 EP - 58 KW - Low power KW - magnetic memory KW - magnetic tunnel junction KW - spintronic KW - process variations. N2 - چکیده – با پیشرفت تکنولوژی و کوچک شدن اندازه­ی ترانزیستورها به ویژه در تکنولوژی­های کمتر از 90 نانومتر، یکی از بزرگترین مشکلات مدارهای CMOS متعارف مصرف توان ایستای بالا به خاطر افزایش نمایی جریان نشتی ترانزیستور­ها است. افزاره­های spintronic از جمله پیوند تونل مغناطیسی ((magnetic tunnel junction MTJ به علت مصرف توان ایستای پایین, غیرفرار بودن, سازگاری با ترانزیستورهای CMOS و امکان ساخت در چگالی­های بالا یکی از گزینه­های جایگزین برای طراحی مدار­های ترکیبی MTJ/CMOS هستند. در سال­های اخیر چندین حافظه مغناطیسی با استفاده از MTJ طراحی و ارائه شده است. این حافظه ­ها از مشکلاتی مانند مصرف توان بالا و سرعت پایین رنج می­برند. در این مقاله روش نوشتن جدیدی برای کاهش توان پویای مصرفی مدار و اصلاحاتی برای کاهش توان ایستا در مدار مورد استفاده برای نوشتن در MTJ ها ارایه شده است. نتایج شبیه‌سازی­ها نشان می‌دهد که حافظه پیشنهادی نسبت به حافظه­ های پیشین تا 97 درصد توان ایستا و تا 71 درصد توان پویای کمتری مصرف می­کند. M3 ER -