۱ نتیجه برای مقاومت کانال
آقای افشین دادخواه، آرش دقیقی، وحید حاتمی، عرفان محمدی،
دوره ۲۲، شماره ۱ - ( ۱۰-۱۴۰۳ )
چکیده
در این مقاله، به بررسی و شبیه‌سازی جامع مقاومت سورس و درین (Rsd) در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه (DI-SOI) با کانال ۲۲ نانومتر پرداخته می‌شود. برای اولین بار، اثر ناحیه کاشت یونی با ابعاد مختلف بر مقاومت سورس و درین افزاره ی مذکور به طور کامل بررسی و شبیه‌سازی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که مقاومت سورس و درین به طور قابل توجهی تحت تاثیر ابعاد و نوع ناحیه کاشت یونی قرار می‌گیرد. بهینه سازی ابعاد و نوع ناحیه یونی می‌تواند این مقاومت را تا ۵ برابر کاهش دهد. این مطالعه نشان می‌دهد که استفاده از ناحیه یونی با ابعاد مناسب می‌تواند به طور قابل توجهی مقاومت سورس و درین را در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه با کانال ۲۲ نانومتر کاهش دهد. این امر می‌تواند به بهبود عملکرد و کارایی این ترانزیستورها در کاربردهای مختلف الکترونیکی منجر شود.
