علی نادری، مریم قدرتی،
دوره ۱۵، شماره ۲ - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد ۱۵ شماره ۲ ۱۳۹۷ )
چکیده
با محدود شدن طول ترانزیستورهای سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به شمار می‌روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی معرفی شده است. افزاره پیشنهادی با ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با دی‌الکتریک دو قسمتی و ساختار پایه مقایسه شده است. افزاره پیشنهاد شده یک نانولوله کربنی زیگزاگ (۰, ۱۳) به قطر۱ نانومتر است و شامل گیت با دو عایق متفاوت با ثابت‌های دی‌الکتریک ۱۶ و ۵۰ می‌باشد. ناحیه کانال از چهار قسمت ناخالصی نوع p به ترتیب با چگالی‌های ناخالصی، ۱nm-۸/۰، ۱nm-۶/۰، ۱nm-۴/۰ و ۱nm-۲/۰ ساخته شده است. طول هر بخش معادل ۵ نانومتر می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد تزریق ناخالصی در کانال به بهبود اثرهای کانال کوتاه همانند کاهش سد پتانسیل ناشی از القای درین و نوسان‌های زیرآستانه کمک می‌کند و موجب کاهش جریان نشتی و افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش می‌گردد. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات افزاره‌ی پیشنهاد شده از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.
