بالا بودن ولتاژ تحریک یکی از مهم‌ترین محدودیت‌های سوئیچهای RF MEMS است. یکی از روشهای کاهش ولتاژ تحریک، کاهش ثابت فنری در ساختار سوئیچ است. در این مقاله ثابت فنری سوئیچ RF MEMS با روش انرژی مدل شده و ثابت فنری آن به‌صورت تحلیلی به‌دست‌آمده است. نتیجه این تحلیل یک راهنمای طراحی است که حداقل میزان مجاز ثابت فنری را نشان می دهد. سپس ساختار جدیدی با ولتاژ تحریک بسیار پایین برای سوئیچهای RF MEMS ارائه می‌شود که محدودیت فوق در آن رعایت شده است. نتایج تحلیل، مقدار ثابت فنری ۰,۰۷۱۴ نیوتن بر متر و مقدار ولتاژ تحریک۱.۶۱ولت را نشان می‌دهد. به‌منظور ارزیابی عملکرد ساختار ارائه‌شده و صحه‌گذاری نتایج تحلیل، سوئیچ طراحی‌شده با استفاده از نرم‌افزار COMSOL شبیه‌سازی‌شده است. نتایج این شبیه‌سازی، ولتاژ تحریک ۱,۸ ولت، زمان سوئیچینگ ۲۵.۶میکروثانیه، فون مایسس ۴.۵ مگا پاسکال، فرکانس طبیعی ۳۱۱۸.۶ هرتز، جرم آن ۰.۲۰۶ نانوگرم و درنهایت ثابت فنر ۰.۰۷۹ نیوتن بر متر را نشان می‌دهد. جنس پل و بیم‌ها از طلا است و از Si۳N۴ به‌عنوان دی‌الکتریک استفاده‌شده است. درنهایت، عملکرد فرکانس بالای سوئیچ طراحی‌شده با استفاده از نرم‌افزار HFSS شبیه‌سازی‌شده است. این شبیه‌سازی، ایزولاسیون ۲۵ دسی‌بل، اتلاف عبوری ۰,۷ دسی‌بل و اتلاف بازگشتی ۱۶ دسی‌بل را در فرکانس ۱۰ گیگاهرتز نشان می‌دهد.
