مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 22 شماره 2
برگشت به فهرست مقالات |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه صنعتی قوچان
چکیده: (152 مشاهده)
+در این پژوهش ویژگی های الکترونیکی نانو نوار های گرافاین گاما مورد بررسی قرار گرفته و یک نانو ترانزیستور بر پایه آن طراحی و شبیه سازی شده است. در محاسبات از روش نظریه تابعی چگالی و تابع گرین غیر تعادلی به کمک بسته محاسباتی Quantum ATK استفاده شده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت های الکترونی نشان دهنده رفتار شبه فلزی و نیمه رسانایی نانو نوارها بر اساس شکل لبه آن ها است. ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانو نوار دسته صندلی گاما طراحی شده و منحنی های مشخصه آن بدست آمده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
