Mir Ahangari M H, Monfaredi K, Yousefi M. Distributed MOS Transistor Technique to Facilitate Dynamic Element Matching Implementation Capability in Low Power 10–Bit Binary Digital to Analog Converter. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2022; 19 (2) :21-30
URL:
http://jiaeee.com/article-1-1161-fa.html
میرآهنگری میر حسن، منفردی خلیل، یوسفی موسی. تکنیک ترانزیستورهای MOS توزیعشده با قابلیت تسهیل پیادهسازی تطبیق پویای عناصر در مبدل دیجیتال به آنالوگ باینری 10 بیتی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1401; 19 (2) :21-30
URL: http://jiaeee.com/article-1-1161-fa.html
گروه مهندسی برق-دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
چکیده: (1756 مشاهده)
عملکرد مبدلهای دیجیتال به آنالوگ هدایت جریانی، بخاطر عدم انطباق طول و عرض ترانزیستورها و اختلاف ولتاژ آستانه و ولتاژ ارلی آنها که ناشی از خطای پروسه ساخت است، محدود میگردد. هر چند روشهای مختلفی برای تعدیل خطاهای ناشی از عدم انطباق المانها وجود دارد، اما این خطا به طور کامل قابل حذف نیست. در این مقاله تکنیک ترانزیستورهای MOS توزیعشده با قابلیت تسهیل پیادهسازی تطبیق پویای عناصر در مبدل دیجیتال به آنالوگ باینری ارائه شده است به نحوی که بدون نیاز به توان مصرفی بالا و پیچیدگی مداری زیاد امکان کاهش خطای ناشی از عدم انطباق ترانزیستورها و نیز خطای ناشی از تغییرات ولتاژ بار را فراهم آورده است. این تکنیک بر مبنای انتخاب تصادفی از میان تعداد معینی از بلوکهای جریان واحد عمل میکند، برای تصادفیتر کردن هر چه بیشترکد تولیدی از یک مولد کد تصادفی و تمام جمع کننده به همراه رمزگشای 4 به 16 استفاده شده است. این تکنیک در ساختار مبدل دیجیتال به آنالوگ 10 بیتی باینری با تکنولوژی 180 نانو متر CMOS پیادهسازی شده است، جریان LSB 500 نانوآمپر و ولتاژ تغذیه 8/1 ولت و توان مصرفی این مبدل mW6/14 و شاخص SFDR مبدل با شبیهسازی تحت نرمافزار Cadence Spectre 27/60 دسیبل به دست آمده است.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1399/5/5 | پذیرش: 1400/8/10 | انتشار: 1401/4/3