Mazidabadi FarahaniFarahani M, Mazloum J, Nayebi P. Design and Simulation of Low Power Low Noise Amplifier For Cognitive Radio Applications. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2022; 19 (2) :101-107
URL:
http://jiaeee.com/article-1-1157-fa.html
مزیدآبادی فراهانی مهدی، مظلوم جلیل، نایبی پیمان. طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز کم مصرف برای کاربردهای رادیوشناختی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1401; 19 (2) :101-107
URL: http://jiaeee.com/article-1-1157-fa.html
دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری
چکیده: (1622 مشاهده)
رادیو شناختی یک سیستم ارتباطی بیسیم فوق العاده پهن باند است که قابلیت استفاده بهینه از طیف فرکانسی موجود را دارد. برای تحقق چنین سیستمی نیاز به یک تقویتکننده کمنویز با پهنای باند بسیار پهن (از MHz 50 تا GHz 10) میباشد. در این کار یک تقویت کننده کمنویز کممصرف بسیار پهنباند طراحی شده که دارای ساختار شبه تفاضلی و سلف فعال است. بکارگیری مدارهای فعال مبتنی بر فناوری CMOSکه رفتار سلفی از خود نشان میدهند به عنوان سلف فعال، علاوه بر افزایش پهنای باند تقویتکننده و کاهش سطح تراشه، دارای بهره ذاتی بوده و به علت داشتن ضریب کیفیت بالا، قابلیت تنظیم اندوکتانس و فرکانس را نیز دارا میباشد. در این مقاله با اتصال ضربدری دو سلف فعال متشکل از توپولوژی گیت مشترک، یک تقویتکننده کمنویز فوق پهنباند برای این سیستم، طراحی شده است. این ساختار علاوه بر افزایش پهنای باند فرکانسی، به علت شرایط شبه تفاضلی، با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستورها، علاوه بر کاهش توان مصرفی، سبب کاهش عدد نویز مدار میشود. نتایج شبیهسازی با تکنولوژی µmCMOS18/0 نشان میدهد که در گستره فرکانسی از MHz50 تا GHz10، این ساختار دارای تطبیق ورودی در کل طیف فرکانسی، و بهتر از dB10-، تغییرات بهره ولتاژ از dB 19-5/16، تغییرات عدد نویز از dB7-3 و نقطه تقاطع مرتبه سوم dBm7/6- را با توان مصرفی mW29/9 ارائه میدهد که برای تحقق سیستم رادیو شناختی نظامی کاملا قابل قبول است.
نوع مقاله:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک دریافت: 1399/4/24 | پذیرش: 1400/10/26 | انتشار: 1401/4/3