دوره 18، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 4 1400 )
جلد 18 شماره 4 صفحات 17-9 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه لرستان
چکیده: (1908 مشاهده)
در این مقاله، یک تقویت‌کننده توان کلاس E پهن باند برای کاربرد در سیستم‌های مخابرات ماهواره‌ای طراحی، شبیه‌سازی و ساخته شده است. در طراحی این تقویت‌کننده از دو مدار کنترل‌کننده هارمونیکی مرتبه دوم و سوم به منظور حذف هارمونیک‌های ناخواسته و همچنین تکنیک جبران راکتانس دوگانه جهت دست‌یابی به پهنای باند وسیع استفاده شده است. ترانزیستور LDMOS نوع AFT09MS007N به عنوان عنصر اکتیو مدار پیشنهادی مورد استفاده قرار گرفته است. پس از محاسبه مقادیر بهینه المان‌ها، تقویت‌کننده پیشنهادی ابتدا با عناصر ایده‌آل و سپس با مدل واقعی المان‌ها و با استفاده از نرم‌افزار ADS شبیه‌سازی شده و نتایج به دست آمده مورد ارزیابی قرار گرفته است. سپس با هدف بررسی عملکرد واقعی، تقویت‌کننده پیشنهادی ساخته و اندازه‌گیری شده است. نتایج اندازه‌گیری نشان می‌دهد که تقویت‌کننده توان پیشنهادی در پهنای باند فرکانسی بین MHz 400 تا MHz 460، دارای راندمان درین بیش از 75 % و راندمان توان افزوده بهتر از 69 % می‌باشد. همچنین در رنج فرکانسی یاد شده، دارا بودن بیشینه مقادیر راندمان درین 83 % و راندمان توان افزوده 75 % به ازای توان ورودی dBm 27 و ولتاژ درین V 12 از دیگر ویژگی‌های مطلوب تقویت‌کننده پیشنهادی است. درنهایت تشابه قابل قبولی بین نتایج شبیه‌سازی و اندازه‌گیری شده مشاهده می‌شود.
واژه‌های کلیدی: تقویت‌کننده توان، کلاس E، تکنیک جبران راکتانس، راندمان درین، راندمان توان افزوده، نرم‌افزار ADS.
نوع مقاله: پژوهشي |
موضوع مقاله:
الکترونیک
دریافت: 1398/11/19 | پذیرش: 1399/2/30 | انتشار: 1400/7/22
دریافت: 1398/11/19 | پذیرش: 1399/2/30 | انتشار: 1400/7/22
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |