دوره 16، شماره 4 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 4 1398 )
جلد 16 شماره 4 صفحات 87-79 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Mesgarof M H, Golmakani A. CMOS LNA with Improved Linearity Using Modified Derivative Superposition. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2019; 16 (4) :79-87
URL: http://jiaeee.com/article-1-1046-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-1046-fa.html
مسکراف محمدحسین، گلمکانی عباس. خطی سازی تقویت‌کننده کم نویز کسکود با پیاده‌سازی روش برهم‌نهی اجزا. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1398; 16 (4) :79-87
دانشکده مهندسی برق و مهندسی پزشکی- دانشگاه صنعتی سجاد
چکیده: (2950 مشاهده)
این مقاله درصدد بهبود خطینگی تقویت‌کننده کم نویز است که با موازی کردن یک مسیر کمکی به تقویت‌کننده‌ی اصلی به دست می‌آید و نیز برای دستیابی به بهره بیشتر از ترکیب کسکود استفاده‌شده است، در مدار پیشنهادشده از طریق ایجاد مسیر کمکی و سلف‌های اضافه‌شده در پایه سورس ترانزیستور، دامنه و فاز تنظیم می‌شود. به‌این‌ترتیب کنترل ضریب غیرخطی مرتبه سوم ممکن می‌گردد، تا درنهایت ضریب غیرخطی مرتبه سوم کل را تا حد امکان کوچک نمود. همچنین اثر ضریب غیرخطی مرتبه دوم بروی IIP3 موردبررسی قرار می‌گیرد. معمولاً برای تحلیل اثرات غیرخطی، از تحلیل سری توانی استفاده می‌شود. پیشنهاد روش (DS) ارائه‌شده در این مقاله، قابلیت اضافه شدن به انواع مدارهای تقویت‌کننده را دارا است چراکه به‌صورت موازی با تقویت‌کننده اصلی قرار می‌گیرد. در این شبیه‌سازی از تکنولوژی TSMC_RF 180 nm استفاده‌شده است. نتایج به‌دست‌آمده مقدار بهره را در حدود 18dB، عدد نویز 2.43dB و مقدار IIP3 در حدود +7.5dB نشان می‌دهد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
