%0 Journal Article %A razagi, mohamad %A Karam, Hanieh %T Comparison of the current of UV ray radiation on PIN Silicon photodiode and Gallium Arsenide %J Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers %V 18 %N 1 %U http://jiaeee.com/article-1-372-fa.html %R %D 2021 %K dark current, UV rays, Gallium arsenide, Photo diode, Silicon, %X تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه­ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم­آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم­آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه­ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آن‌ها در چندین بایاس‌ معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته ‌است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم­آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم­آرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است. %> http://jiaeee.com/article-1-372-fa.pdf %P 45-50 %& 45 %! %9 Research %L A-10-529-1 %+ Department of Electrical Engineering, University of Kurdistan, Sanandaj, Kurdistan, Iran %G eng %@ 2676-5810 %[ 2021