AU - Khatami, Mohammad Mahdi AU - Shalchian, Majid AU - Kolahdouz, Mohammadreza TI - Analysis and Improvement of Off-state Current in Biaxially Strained Si Nano p-MOSFET by Virtual Substrate’s Doping Control PT - JOURNAL ARTICLE TA - jiaeee JN - jiaeee VO - 13 VI - 4 IP - 4 4099 - http://jiaeee.com/article-1-44-fa.html 4100 - http://jiaeee.com/article-1-44-fa.pdf SO - jiaeee 4 AB  - در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می­کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه می­شود و سپس بوسیله­ی شبیه ساز، نتایج بررسی می­گردد. نتایج شبیه سازی نشان می­دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از 4-10 برابر کاهش می­یابد. این روش در طول کانال­های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می­گردد. CP - IRAN IN - LG - eng PB - jiaeee PG - 41 PT - Research YR - 2017