دوره 16، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 2 1398 )
جلد 16 شماره 2 صفحات 64-57 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر-دانشگاه صنعتی اصفهان-اصفهان-ایران
چکیده: (2705 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.57.0.2.1576.1610
در این مقاله برای اولین بار رابطه‌ی تحلیلی ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی و طول کانال کوتاه ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه‌ی عایق اول الماس است که بر روی زیرلایه‌ی سیلیکونی قرار دارد و لایه‌ی عایق دوم دی‌اکسیدسیلیکون می‌باشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده‌است. رابطه‌ی تحلیلی برای محاسبه‌ی ولتاژ آستانه با محاسبه‌ی خازن‌های موجود در عایق مدفون استفاده شده‌است. نتایج بدست‌آمده از روابط تحلیلی و شبیه‌سازی افزاره برای ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس با ابعاد و طول کانال مشابه، مقایسه شده‌است. همچنین تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت اکسید گیت، ضخامت بدنه‌ی سیلیکونی، ضخامت عایق دوم و طول این عایق را بر روی ولتاژ آستانه‌ی افزاره‌ی سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بررسی کرده‌ایم و نتایج حاصل از روابط تحلیلی را با نتایج بدست‌آمده از شبیه‌سازی افزاره مقایسه نمودیم و به تطبیق مناسبی بین نتایج حاصل دست‌یافته‌ایم.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |