دوره 16، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 16 شماره 1 1398 )
جلد 16 شماره 1 صفحات 131-119 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- دانشگاه سیستان و بلوچستان-زاهدان- ایران
چکیده: (3520 مشاهده)
DOR: 98.1000/1735-7152.1398.16.119.0.1.32.1575
امروزهاینورترهای چندسطحی آبشاری شبه منبع امپدانسی(qZS-CMI) به طور گستردهای در صنعت الکترونیک قدرت مورد توجه قرار گرفتهاند. اگر چه این اینورترها دارای مزیتهای فراوانی میباشند، اما مشکلاتی هم همانند جریان نشتی درسیستمهای فتوولتائیک و محدودیت عملی در افزایش بهره ولتاژ دارند. جهت رفع این مشکلات در اینمقاله، ساختار جدید اینورتر چندسطحی آبشاری شبه منبع امپدانسی با استفاده از ترانسفورماتور فرکانس بالا پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی قابلیت تولید ولتاژبالا برای کاربردهای توان بالا یا متوسط را دارد. استفاده از ترانسفورماتور فرکانس بالا در ساختار پیشنهادی، منجر به ایجاد ایزولاسیون الکتریکی بین ورودی و خروجی، افزایشولتاژ خروجی، افزایش قابلیت اطمینان سیستم و کاهش تداخل الکترومغناطیسی میشود.ساختار پیشنهادیدر مقایسه با qZS-CMI که بهره ولتاژ آنهایکسان است، دارای تنش ولتاژی کمتر بر رویعناصر نیمههادی میباشد و همچنین دارای بهره ولتاژ و شاخص مدولاسیون بزرگتری میباشد. برای کنترل خاموش و روشن شدن کلیدها از مدولاسیون پهنای پالس سینوسی شیفت فاز بهبود یافته با تزریق هارمونیک سوم که باعث افزایش شاخص مدولاسیون بیشتر از یک و بهبود کیفیت توان خروجی اینورتر میشود، استفاده میشود. شبیه سازی ساختار پیشنهادی در محیط نرم افزار متلب انجام شده است. نتایج حاصل از تحلیل و شبیه سازی، عملکرد بهتر اینورتر پیشنهادی را نسبت به ساختارهای مذکور نشان میدهد.
واژه‌های کلیدی: اینورتر چندسطحی آبشاری، اینورتر شبه منبع امپدانسی، ترانسفورماتور فرکانس بالا، مدولاسیون پهنای پالس سینوسی شیفت فاز بهبود یافته، تزریق هارمونیک سوم
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |