در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت  و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های  MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM‌ مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش DT3  باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب‌تر است. شبیه‌سازی‌ها  در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.

واژه‌های کلیدی: حافظه‌ی CAM، منطق سه‌ارزشی، ممریستور، ترانزیستور DTMOS، بایاس مستقیم بدنه، توان پایین.

متن کامل [PDF 1140 kb]   (1148 دریافت)