دوره 18، شماره 1 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 18 شماره 1 1400 )
جلد 18 شماره 1 صفحات 8-1 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rezaei A, Orouji A A, Sharbati S. Performance Improvement of Field Effect Diodes (FED) for Nanotechnology. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2021; 18 (1) :1-8
URL: http://jiaeee.com/article-1-835-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-835-fa.html
رضایی آرش، اروجی علی اصغر، شربتی سمانه. بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1400; 18 (1) :1-8
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان
چکیده: (2706 مشاهده)
چکیده: یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(FED)، افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارائه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED) افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و S-FED نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون جریان روشن، نسبت جریان روشن به خاموش ، تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارائه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.
واژه‌های کلیدی: دیوداثرمیدانی(FED)، دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED)، نسبت جریان روشن به خاموش( Ion/Ioff)، تاخیرگیت، حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
