دوره 15، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 15 شماره 2 1397 )                   جلد 15 شماره 2 صفحات 9-16 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


دانشکده انرژی- دانشگاه صنعتی کرمانشاه-کرمانشاه
چکیده:   (789 مشاهده)
با محدود شدن طول ترانزیستورهای ‌سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به‌ شمار می‌روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی معرفی شده است. افزاره پیشنهادی با ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با دی‌الکتریک دو قسمتی و ساختار پایه مقایسه شده است. افزاره پیشنهاد شده یک نانولوله کربنی زیگزاگ (0, 13) به قطر1 نانومتر است و شامل گیت با دو عایق متفاوت با ثابت‌های دی‌الکتریک 16 و 50 می‌باشد. ناحیه کانال از چهار قسمت ناخالصی نوع p به ترتیب با چگالی‌های ناخالصی، 1nm-8/0، 1nm-6/0، 1nm-4/0 و 1nm-2/0 ساخته شده است. طول هر بخش معادل 5 نانومتر می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد تزریق ناخالصی در کانال به بهبود اثرهای کانال کوتاه همانند کاهش سد پتانسیل ناشی از القای درین و نوسان‌های زیرآستانه کمک می‌کند و موجب کاهش جریان نشتی و افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش می‌گردد. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات افزاره‌ی پیشنهاد شده از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.
متن کامل [PDF 3034 kb]   (213 دریافت)    
نوع مقاله: پژوهشي | موضوع مقاله: الکترونیک
دریافت: ۱۳۹۷/۵/۱۳ | پذیرش: ۱۳۹۷/۵/۱۳ | انتشار: ۱۳۹۷/۵/۱۳