دوره 15، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 15 شماره 2 1397 )
جلد 15 شماره 2 صفحات 7-1 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات-تهران
چکیده: (4496 مشاهده)
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InGaP، InP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت (GAA) انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه میباشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است باmV/V14، mV/dec1/61،A15-10×26/2،A6-10×94/5 و109×62/2.
واژه‌های کلیدی: ترانزیستورهای بدون پیوند، دیبل، شیب زیر آستانه، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنی به خاموشی
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |