در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (R-D)، مدل‌هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (NBTI) در یک MOSFET سه گیتی کانال P و پدیده تزریق حامل‌های پرانرژی (HCI) در یک افزاره FinFET سه گیتی توده کانال N ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می‌شود. نتایج به دست آمده در مقاله بیانگر این است که در افزاره­های سه گیتی به علت ساختار افزاره و اثر گوشه­های بدنه، تولید تله در اثر پدیده­های NBTI و HCI، نسبت به افزاره‌های MOSFET مسطح بیشتر و طول عمر افزاره کمتر می­باشد. همچنین در ادامه اثر بدنه شناور روی پدیده NBTI در یک افزاره MOSFET دوگیتی با استفاده از روش حل یک بعدی معادله پواسون در ناحیه‌ی وارونگی مدل می‌شود و با حالت وجود اتصال بدنه مقایسه می‌شود. نتایج حاصل با استفاده از روش حل عددی FDM تأیید می‌شود و نتایج حاصل بیانگر این است که به علت تجمع الکترون­های حاصل از تولید تله­ها در اثر پدیده NBTI در بدنه شناور و اثر این الکترون­ها در کاهش میدان اکسید، اثر این پدیده‌ در افزاره­های دارای بدنه شناور کم شده و طول عمر افزاره افزایش می‌یابد.